公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响被引量：2: 2014年; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力,避免GaN薄膜出现裂纹。在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹,受到的张应力为0.3 GPa,(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec,原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm。; 陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺; 关键词：ALN缓冲层 GAN SI衬底 MOCVD

980nm垂直腔面发射激光器的外延生长被引量：3: 2015年; 模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387W/A,室温直流电流为22.8mA时,输出光功率为5mW。; 崔明韩军邓军李建军邢艳辉陈翔朱启发; 关键词：金属有机物化学气相沉积

Stokes-Darcy方程有限元方法保多项式梯度重构: 2024年; 近年来,对于Stokes-Darcy方程的研究受到越来越多的关注.一方面是因为它在水文学、环境科学和石油工程等诸多领域有着广泛的应用;另一方面,该方程在数学理论和数值分析方面也十分具有挑战性.保多项式重构(polynomial-preserving recovery,PPR)方法是一种后处理方法,将其用于有限元的后处理,可以获得连续更优的梯度逼近结果.本文对Stokes-Darcy方程的有限元方法给出基于PPR的超收敛分析和后验误差估计.利用有限元数值结果和PPR方法,本文重构网格节点处的梯度近似值,证明重构后的梯度超收敛于精确梯度,并证明后验误差估计在渐近意义上是精确的.数值实验验证了本文的理论分析结果.; 崔明王亚楠张百驹张智民; 关键词：后验误差估计超收敛

Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响被引量：4: 2013年; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310Ω/□。; 陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明朱建军张宝顺; 关键词：AL组分 ALGAN 高电子迁移率晶体管电学性质 MOCVD

垂直腔面发射激光器性能及GaInNAs材料外延生长研究: 垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，VCSEL)是一种新型的半导体激光器，和传统的边发射激光器相比，它具有低阈值电流、高转换效率、低功耗、小发散角、易于形成...; 崔明; 关键词：垂直腔面发射激光器

生态脆弱区生态系统状态演变分析的若干数学方法被引量：2: 2022年; 生态脆弱区往往存在多个生态系统(草原、荒漠和灌木等)共存的现象。由于外部环境和人类活动等因素的影响,生态脆弱区会发生从一种生态系统转变为另一种生态系统的现象,即突变现象。分析生态脆弱区多生态系统共存情况下生态系统的稳定性对了解生态脆弱区生态系统的变化具有重要意义。本文回顾了目前能够描述生态脆弱区多生态系统的动力系统及其稳定性判别的若干数学方法。基于微分方程的动力系统不仅能够描述均一和非均一的生态系统,而且能够描述林、草和荒漠等多生态系统共存的状态。判别生态脆弱区生态系统稳定性的方法包含3类:第一类是代表人类活动等因素变化的初值扰动引起的生态系统稳定性的分析方法;第二类是代表环境因子(例如降水和温度)等因素变化的模式扰动引起的生态系统稳定性的分析方法;第三类是由初值扰动和模式扰动共同作用引起的生态系统稳定性的分析方法。最后,介绍了应用上述方法分析生态脆弱区多生态系统的稳定性。这些数学理论方法不仅有助于我们了解生态脆弱区生态系统的稳定性,而且也可为生态脆弱区生态系统的突变、预估和管理提供理论指导。; 孙国栋曾晓东崔明; 关键词：生态脆弱区突变

H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响被引量：3: 2013年; 在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量。; 邓旭光韩军邢艳辉汪加兴崔明陈翔范亚明朱建军张宝顺; 关键词：ALN缓冲层 SI衬底金属有机化学气相沉积

MOCVD生长双波长发光二极管: 2014年; 根据白光照明和可变换波长的光通信中对单芯片双波长发光二极管(LED)要求,在分析了反向偏置隧道结性质的基础上,设计了用反向偏置隧道结连接两个有源区的单芯片双波长LED,用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)在GaAs衬底上一次外延生长了同时发射两种波长的LED,其包含一个AlGaInP量子阱有源区和一个GaInP量子阱有源区,两个有源区由隧道结连接;通过后工艺制备了双波长LED器件,在20mA电流注入下,可以同时发射626nm和639nm两种波长,光强是127mcd,正向电压是4.17V。与传统的单有源区LED进行对比表明,双波长LED有较强的光强;对比单有源区LED的2.08V正向电压,考虑到双波长LED包含隧道结和两个有源区,隧道结上的压降很小。; 韩军崔明李建军邓军邢艳辉; 关键词：发光二极管(LED)双波长隧道结

全选清除导出

共1页<1>

崔明