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姚远昭

作品数:3 被引量:13H指数:2
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:天津市科技发展战略研究计划项目天津市自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇碳纳米管
  • 2篇碳纳米管场发...
  • 2篇显示器
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇场发射
  • 2篇场发射显示
  • 2篇场发射显示器
  • 1篇电性能
  • 1篇电学性能
  • 1篇氧化物陶瓷
  • 1篇阴极
  • 1篇陶瓷
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能

机构

  • 3篇天津大学

作者

  • 3篇姚远昭
  • 2篇吴裕功
  • 1篇王峬
  • 1篇张慧利

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
自会聚阴极碳纳米管场发射显示器的计算机模拟
场发射显示器(FED)由于同时具有CRT显示器的优点和平板显示器的特点,而颇受关注。而碳纳米管(CNT)因为其良好的几何外形、电学和机械性能而成为FED阴极的理想选择。在目前研究最多的三极结构CNT-FED中,存在电子束...
姚远昭
关键词:碳纳米管场发射显示器计算机模拟机械性能电学性能
文献传递
CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电氧化物陶瓷的制备与性能被引量:5
2007年
研究了合成CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电响应氧化物的固相反应。用X射线衍射跟踪反应进程。该反应以CaTiO_3为中间产物。两步合成工艺可以降低完全反应所需温度,并可在不超过1000℃下合成单相CaCu_3Ti_4O_(12)。通过引入过量CuO,进一步提高了介电常数,降低了介电损耗。在1080℃下烧成的CuO过量4mol%的陶瓷试样,相对介电常数为29000,损耗角正切值为0.06(1kHz)。
吴裕功王峬张慧利姚远昭
关键词:无机非金属材料固相反应介电性能
新型碳纳米管场发射显示器自会聚阴极的计算机模拟被引量:8
2006年
提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐渐变大,电子束会聚增强,阳极光斑半径逐渐减小。进一步增大凹面曲率,电子束发生交叉,光斑半径逐渐变大。适当的参数组合可使电子束会聚在阳极上很小的区域内,自会聚阴极可用于低功耗CNT-FED的设计。
姚远昭吴裕功
关键词:场发射显示器计算机模拟碳纳米管阴极
共1页<1>
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