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Si基GaN器件的通孔制备方法: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN器件的通孔制备方法，该方法包括：分别去除晶圆上表面的AlGaN层与第一通孔区对应的部分和GaN外延层与第一通孔区对应的部分，露出Si衬底层，形成一个第一通孔；其中，所述晶...; 周国高渊刘亚亮杨志虎刘相伍张力江崔玉兴; 文献传递

用于薄膜体声波谐振器腔体释放的氟化氢气相刻蚀研究: 2025年; 氟化氢(HF)气相刻蚀是制备薄膜体声波谐振器(FBAR)空腔结构的关键工艺。利用HF气相刻蚀设备,使用HF、乙醇蒸气和氮气的混合气体对热氧化生长的2μm厚的SiO_(2)牺牲层进行气相刻蚀实验,探究了刻蚀时间、气体流量、腔室压力和腔室温度等参数对HF气相刻蚀速率的影响。实验结果表明:提高腔室压力可以显著提升刻蚀速率,但发现释放后的FBAR工艺控制监控(PCM)空腔结构出现了粘连塌陷,腔体表面也出现了沉积点状副产物。当腔室压力达130 Torr(1 Torr≈133 Pa)时,采用高低压循环刻蚀(腔室压力130 Torr气相刻蚀9 min,腔室压力50 Torr气相刻蚀1 min),释放后的FBAR PCM空腔结构则未出现上述问题,HF气相刻蚀速率为1 350A/min(1A=0.1 nm),比初始HF气相刻蚀速率(330A/min)提高了约4.1倍。该方案已成功应用于FBAR芯片量产。; 康建波付越东高渊商庆杰宋洁晶; 关键词：刻蚀速率

薄膜体声谐振器和半导体器件: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构...; 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽

体声波谐振器和半导体器件: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；...; 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽; 文献传递

谐振器和滤波器: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种包括桥部的堆叠式声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括第一电极层、第一压电层、第二电极层、第二压电层和第三电极层；和桥部，设置在...; 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽

GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究被引量：2: 2019年; 通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连。在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响。微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性。分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性。; 高渊

集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备...; 廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江; 文献传递

谐振器和滤波器: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上，包括压电层、第一电极和第二电极；其中，第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧，所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二电极包括第三导电层...; 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽; 文献传递

体声波谐振器、其制作方法和半导体器件: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成...; 李亮钱丽勋吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰李宏军李丽卜爱民王强付兴昌

一种GaN HEMT器件及制备方法: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种GaN HEMT器件及制备方法，包括衬底，衬底上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括贯穿栅介质层与GaN外延层接触的栅极、源电极和漏电极；栅介质层包括不同性质的第一栅...; 张力江高渊高昶王国清宋洁晶付兴昌; 文献传递

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