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赵春波

作品数:5 被引量:15H指数:1
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇中高压
  • 2篇脉宽调制
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇CMOS
  • 1篇电源
  • 1篇电源保护
  • 1篇智能功率集成...
  • 1篇设计方法
  • 1篇欠压
  • 1篇欠压保护
  • 1篇驱动电路
  • 1篇高压集成电路
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇版图

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇赵春波
  • 3篇吴玉广
  • 1篇冯健峰
  • 1篇张骥
  • 1篇杨红伟
  • 1篇许伟

传媒

  • 2篇电子科技
  • 2篇电子质量

年份

  • 1篇2005
  • 4篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
脉宽调制功率放大器的设计
智能功率集成电路(SPIC)的出现对提高系统的可靠性,降低其成本、重量和体积,实现汽车电子、工业控制、通讯等领域中系统的小型化、智能化有着重要的意义。SPIC系统包括控制电路、驱动电路和故障保护电路。本文设计的脉宽调制功...
赵春波
关键词:智能功率集成电路驱动电路版图设计PCB脉宽调制功率放大器
文献传递
一种CMOS欠压保护电路的设计被引量:14
2004年
本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路,首先分析了电路的工作原理,而后给出了各MOS管的参数计算,并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单,工艺实现容易,可用于高压和功率集成电路中的电源保护。西安 710071)
赵春波许伟吴玉广
关键词:欠压保护CMOS功率集成电路电源保护MOS管PSPICE仿真
PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计
2004年
提出了一种适合于PDP 扫描驱动电路的高压功率 LDPMOS 和 VDNMOS 功率器件结构,此结构可用 BCD 工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达 200V。
赵春波吴玉广杨红伟
关键词:PDPMEDICI
一种CMOS脉宽调制功率放大器的设计
2004年
设计了一种一次集成实现的CMOS脉宽功率调制功率放大器,介绍了其工作原理,给出了各子电路模块的设计方法并指出设计难点,此系统可用来驱动小功率的直流电机.
赵春波吴玉广张骥
关键词:CMOS脉宽调制设计方法
高压集成电路中高压功率MOSFET的设计
2004年
本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路。
冯健峰赵春波
关键词:高压集成电路MOSFETBCD
共1页<1>
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