蒋锴
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究被引量：2
- 2010年
- 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<112-0>方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长形貌。拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志。纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<112-0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<112-0>方向,轴向生长方向平行于<0001->方向。
- 彭燕宁丽娜高玉强徐化勇宋生蒋锴胡小波徐现刚
- 关键词：4H-SIC晶型转变
- MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
- 2012年
- 设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。
- 蒋锴李沛旭张新李树强夏伟夏伟胡小波徐现刚
- 关键词：量子阱激光器金属有机物化学气相沉积
