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肖惠

作品数：17 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇晶体管
  • 5篇漏极
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇源极
  • 4篇栅电极
  • 4篇栅介质
  • 4篇突触
  • 3篇电池
  • 3篇电解质
  • 3篇双电层
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇反相器
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电阻
  • 2篇信号

机构

  • 17篇中国科学院宁...
  • 1篇上海理工大学

作者

  • 17篇肖惠
  • 13篇竺立强
  • 3篇杨熹
  • 3篇叶继春
  • 3篇刘阳辉
  • 2篇万青
  • 2篇张洪亮
  • 1篇吴国栋
  • 1篇曾俞衡
  • 1篇门传玲

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2025
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管的栅极是具有立体结构的导电材料，沿着与其长度方向平行的中心轴线，该导电材料呈中心轴对称结构；该导电材料的一端作为栅极接触部分，其余部分的外围包覆着栅极介质层，栅极介质层...
张洪亮万青竺立强吴国栋肖惠
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氧化物薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管，包含：绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极，以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层，其中，栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉...
竺立强刘锐肖惠付杨明
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反相器及其制作方法
本发明公开了一种反相器，包含晶体管与电阻，其中，晶体管包含：双电层栅介质层、位于双电层栅介质层的一侧的栅电极，以及位于双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极，其中，沟道分别与源极、漏极接触；并且，侧...
竺立强晁晋予肖惠
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一种仿生突触器件及其制作方法及其应用
本发明公开了一种仿生突触器件及其制作方法和应用。具体涉及一种具有尖峰时间依赖可塑性学习行为的仿生突触器件，所述仿生突触器件包括：栅电极(2)，所述栅电极的方块电阻为30～800Ω/□；且所述栅电极用作仿生突触器件的突触前...
竺立强虞菲肖惠
触觉传感器及其制造方法
本申请实施例提供了一种触觉传感器及其制造方法，通过包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管导电连接的压力传感组件；压力传感组件包括第一弹性体、第二弹性体以及位于第一弹性体和第二弹性体之间的导电颗粒；压力传感组件通过第一弹性体和第二...
蔡佳程竺立强肖惠 任征宇
具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用
本发明公开了具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用。具体地，本发明的人造突触器件包含：依次叠加在衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元，每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电...
竺立强刘阳辉万昌锦肖惠
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低工作电压反相器及其制作方法
本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管以耗尽型模式工作，所述第二晶体管以增强型模式工作，并且，所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由...
竺立强肖惠万昌锦刘阳辉
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氧化物薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管，包含：绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极，以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层，其中，栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉...
竺立强刘锐肖惠付杨明
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一种仿生突触器件及其制作方法及其应用
本发明公开了一种仿生突触器件及其制作方法和应用。具体涉及一种具有尖峰时间依赖可塑性学习行为的仿生突触器件，所述仿生突触器件包括：栅电极(2)，所述栅电极的方块电阻为30～800Ω/□；且所述栅电极用作仿生突触器件的突触前...
竺立强虞菲肖惠
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反相器及其制作方法
本发明公开了一种反相器，包含晶体管与电阻，其中，晶体管包含：双电层栅介质层、位于双电层栅介质层的一侧的栅电极，以及位于双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极，其中，沟道分别与源极、漏极接触；并且，侧...
竺立强晁晋予肖惠
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