王双鹏
- 作品数：30 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 一种氧化锌基p型材料的制备方法
- 本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法包括在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为Zn极性表面的ZnO材料，基础层的厚度大于300nm；所述的渐变层具有组分渐变的结构...
- 王双鹏单崇新张振中李炳辉李科学申德振
- 文献传递
- 一种氧化锌基p型材料的制备方法
- 本发明提供一种氧化锌基p型材料的制备方法，属于半导体材料生长技术领域。该方法在基础层上制备渐变层；在渐变层上制备盖层；所述的基础层为氧极性表面的Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O(0.6≥x≥...
- 王双鹏单崇新李炳辉张振中李科学申德振
- 文献传递
- 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应
- 2013年
- 在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。
- 尚开张振中李炳辉徐海阳张立功赵东旭刘雷王双鹏申德振
- 关键词：ZNO电子束泵浦
- 采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法
- 本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明...
- 张振中申德振武晓杰王双鹏姜明明李炳辉
- 文献传递
- 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1
- 2015年
- 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。
- 陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏
- 关键词：P型ZNO原子层沉积光致发光
- 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器被引量：2
- 2014年
- 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。
- 郑剑乔倩张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏陈星姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
- m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文)
- 2014年
- 由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明:Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。
- 郑剑张振中张吉英刘益春王双鹏姜明明陈星李炳辉赵东旭刘雷王立昆单崇新申德振
- 关键词：MOCVD
- 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
- 复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱...
- 单崇新鞠振刚倪佩楠李炳辉王双鹏申德振
- 文献传递
- 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
- 复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱...
- 单崇新鞠振刚倪佩楠李炳辉王双鹏申德振
- 低切损激光切割锯
- 本发明公开了一种低切损激光切割锯，属于半导体器件技术领域。解决了现有技术中硅锭的切割方法切损率高，切割晶圆直径受限制，生产效率低的技术问题。本发明的切割锯包括：激光器组、耦合装置、光纤组、箔带、导轨、支架和驱动控制装置，...
- 张振中王双鹏姜明明李炳辉申德振
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