牛文娟
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Rashba自旋轨道耦合作用下电荷流散粒噪声与自旋极化的关系研究被引量：1
- 2009年
- 根据存在自旋轨道耦合时基于散射理论的电流表达式和散粒噪声表达式,并利用自旋密度矩阵推导出沿自旋量子化坐标的自旋极化率表达式.解析计算了单通道的情况,发现自旋极化率和电荷流散粒噪声无关.由于多通道解析推导的困难,使用非平衡格林函数技巧,数值计算了包含自旋轨道耦合效应的纯净二维电子气的多通道情况.分别改变偏压、自旋轨道耦合系数、导体长度,研究了这三种不同条件下的自旋极化率与电荷流散粒噪声Fano因子的相关性.两者的相关性表明,相关性定量关系的建立可能为自旋极化的全电学检测提供新思路.
- 陈华杜磊庄奕琪牛文娟
- 关键词：散粒噪声自旋极化RASHBA自旋轨道耦合散射矩阵
- 基于转移矩阵法确定高k介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性被引量：1
- 2012年
- 栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对比,通过论证得出电子能量低于高导带底的透射系数峰为共振隧穿机制所产生,而能量高于高k介质导带底的电子透射系数峰为直接隧穿的结论.
- 曲成立杜磊刘宇安庄奕琪陈华李晨牛文娟
