江俊
- 作品数：17 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 多尺度的量子器件光电性质研究
- 传统的量子化学方法以及固体物理方法往往难以同时兼顾多种纳米尺度的理论模拟，尤其是大纳米尺度的量子器件更是给理论研究带来了巨大的挑战。本论文发展的新方法和计算软件，则在第一性原理和全电子计算的理论精度上达到了对多种尺度量子...
- 江俊
- 关键词：第一性原理纳米电子学量子阱红外探测器光电性质
- 无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件
- 本发明公开了一种无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面探测器。该探测器是在GaAs衬底上通过分子束外延依次形成下电极层、多量子阱和上电极层。上电极层为平面形,然后在其上蒸镀一定厚度的金属层。在红外光的辐...
- 陆卫李宁江俊李志锋蔡玮颖袁先璋
- 文献传递
- GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件表征系统研制被引量：1
- 2001年
- 介绍量子阱红外探测器件 (QWIPs—QuantumWellInfraredPhotodetectors)以及器件的基本性能表征测量系统的研制。利用通用接口总线GPIB(GeneralPurposeInterfaceBus) ,将多台测试仪器与微机连接。分别用LABVIEW和LABWINDOWS/CVI两种开发平台进行程序编写 ,遥控测量仪器 ,控制微机自动采集和处理数据实时绘制曲线 ,对本项工作自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件进行了基本性能的检测 ,实现器件主要特性—I V曲线的自动测量。
- 江俊李宁陆卫
- 关键词：GAAS/ALGAAS红外探测器件砷化镓
- QWIP器件相关物理研究
- 2002年
- 1 QWIP概况
量子阱红外光电探测器(QWIP)是在半导体超晶格物理和分子束外延技术(MBE)的基础上实现的.
- 江俊
- 关键词：QWIP物理研究量子阱红外光电探测器半导体分子束外延
- 衬底剥离的量子阱红外探测器研究(英文)被引量：1
- 2006年
- 对用MBE生长的GaAs/A lGaAs量子阱材料进行了衬底剥离,在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应.实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题,研究了衬底剥离对材料及器件性能的影响以及用这种方法制备器件的可行性.结果表明选择腐蚀法是一种有效的衬底剥离方法,用这种方法得到的多量子阱薄膜材料仍具有较好的红外探测性能,为进一步实验提供了依据.
- 甄红楼李宁江俊徐文兰陆卫黄绮周均铭
- 关键词：量子阱红外探测器光电流谱介电函数
- 检测自由电子激光光强密度的设备及方法
- 本发明公开了一种关于检测自由电子激光光强密度的设备及方法，该设备包括：自由电子激光器(FEL)、KBr分束片、能量辐射计及处理能量辐射计输出信号的计算机。该设备是用于测量窄禁带半导体材料的透射率，该方法是基于窄禁带半导体...
- 陆卫江俊李宁李志锋陈效双郭旭光陈贵宾
- 文献传递
- 半导体太赫兹相干光源器件
- 本发明公开了一种半导体太赫兹相干光源器件，它是利用耦合量子阱结构将量子阱激光器输出的激光转换成太赫兹辐射源。器件包括：激发功能块和发光功能块二部分。其特征是：激发功能块选用工艺上已非常成熟的GaAs/AlGaAs量子阱激...
- 陆卫江俊陈效双李宁李志锋季亚林
- 文献传递
- 无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件
- 本发明公开了一种无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面探测器。该探测器是在GaAs衬底上通过分子束外延依次形成下电极层、多量子阱和上电极层。上电极层为平面形，然后在其上蒸镀一定厚度的金属层。在红外光的辐...
- 陆卫李宁江俊李志锋蔡玮颖袁先璋
- 文献传递
- 预测量子阱红外探测器响应波长的设备和方法
- 一种预测由GaAs/AlGaAs量子阱材料形成的红外探测器红外响应波长的设备和方法，主要是采用共焦激光荧光探测系统获得量子阱材料的量子阱子带跃迁和势垒带间跃迁的两种荧光光谱，通过计算机拟合势垒荧光峰并给出势垒组分，进而拟...
- 陆卫蔡炜颖李志锋李宁江俊
- 文献传递
- FEL诱导半导体材料非线性光吸收被引量：2
- 2003年
- 应用北京自由电子激光 (BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1 -xCdxTe,InSb和InAs进行了非线性光吸收研究 .利用FEL的高光子密度和皮秒量级的短脉冲宽度特性 ,研究了双光子吸收 (TPA)以及光生载流子吸收 (FCA)共同作用机理 ,从实验上直接证实了在强入射能量下 ,FCA是不可忽略的光吸收过程 。
- 江俊李宁陈贵宾陆卫王明凯杨学平吴刚范耀辉李永贵袁先漳
- 关键词：FEL半导体材料HG1-XCDXTEINSB砷化铟锑化铟
