李全良
- 作品数：11 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、在单晶硅衬底内设置的浅槽隔离区、在浅槽隔离区之间设置的转移晶体管和掩埋型感光二极管，其中转移晶体管包含阈值电压调节区，阈值电压调节区位于...
- 曹中祥吴南健周杨帆李全良
- 文献传递
- 一种多步单斜模拟数字信号转换装置
- 本发明公开了一种多步单斜模拟数字信号转换装置，包括采样保持求余放大模块、斜坡和参考电压产生模块、比较器、计数器、控制信号发生器、数字校正单元和输出模块，输入电压V<Sub>in</Sub>被采样保持求余放大模块采样后作为...
- 李全良吴南健韩烨石匆
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- CMOS图像传感器全局曝光像素单元
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器全局曝光像素单元，包括依次连接的光电二极管、信号读出电路、信号放大电路、信号采样保持电路和信号输出电路，光电二极管用于采集入射光线的原始信息，将采集的目标图像光信号转换成电信号；信号读出...
- 周杨帆吴南健曹中祥李全良秦琦
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- 用于固态图像传感器的模拟读出预处理电路
- 本发明提供了一种用于固态图像传感器的模拟读出预处理电路。该模拟读出预处理电路包括：相关双采样可编程增益放大电平位移单转差开关电容网络，用于实现固态图像传感器输出的信号的采集与预处理；运算放大器，用于利用运算放大器两输入端...
- 李全良吴南健刘力源韩烨
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- 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
- 本发明公开了一种高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、位于该单晶硅衬底内的浅槽隔离区、完全覆盖该浅槽隔离区下方的掺杂阱、位于该浅槽隔离区之间的转移晶体管和掩埋型感光二极管。利用本发明，提...
- 曹中祥吴南健周杨帆李全良秦琦
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- CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、在单晶硅衬底内设置的浅槽隔离区、在浅槽隔离区之间设置的转移晶体管和掩埋型感光二极管，其中转移晶体管包含阈值电压调节区，阈值电压调节区位于...
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- 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
- 本发明公开了一种高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法，该像素单元包括单晶硅衬底、位于该单晶硅衬底内的浅槽隔离区、完全覆盖该浅槽隔离区下方的掺杂阱、位于该浅槽隔离区之间的转移晶体管和掩埋型感光二极管。利用本发明，提...
- 曹中祥吴南健周杨帆李全良秦琦
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- 高速CMOS图像传感器及其应用被引量：9
- 2021年
- 设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横向转移速度,降低了光生载流子的残留,减少了图像传感器芯片的拖尾现象.芯片采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列,降低了图像传感器芯片的整体功耗.图像传感器芯片采用0.18μm CMOS工艺制备,像素尺寸为18μm×18μm,数字量化精度为12 bit.设计了高速CMOS成像系统,并在暗室环境下搭建了图像传感器的光电测试平台.测试得到高速CMOS图像传感器的灵敏度为11 V/(lx·s),动态范围为65 dB,在816×600的分辨率下可稳定输出1000帧/s的高速图像数据.图像传感器工作在最大增益为4、帧率为1000帧/s的工作条件时的功耗为830 mW.基于设计的高速CMOS图像传感器芯片,试制了一款高速CMOS相机.将试制的高速相机应用到高速目标跟踪和大容量存储系统中.实验结果表明,整体系统工作稳定,高速CMOS图像传感器可以长时间地稳定传输高质量的高速图像数据,同时跟踪系统可以稳定跟踪目标、存储系统可以正确存储高速图像数据.
- 窦润江曹中祥李全良冯鹏刘力源刘力源吴南健
- 关键词：低功耗CMOS图像传感器
- 一种多步单斜模拟数字信号转换装置
- 本发明公开了一种多步单斜模拟数字信号转换装置，包括采样保持求余放大模块、斜坡和参考电压产生模块、比较器、计数器、控制信号发生器、数字校正单元和输出模块，输入电压V<Sub>in</Sub>被采样保持求余放大模块采样后作为...
- 李全良吴南健韩烨石匆
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- CMOS图像传感器全局曝光像素单元
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器全局曝光像素单元，包括依次连接的光电二极管、信号读出电路、信号放大电路、信号采样保持电路和信号输出电路，光电二极管用于采集入射光线的原始信息，将采集的目标图像光信号转换成电信号；信号读出...
- 周杨帆吴南健曹中祥李全良秦琦
