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张晓伟

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
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相关领域：经济管理政治法律一般工业技术建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 5篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 4篇硅基
  • 3篇离子
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇带隙
  • 2篇电池
  • 2篇多层膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇太阳电池
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇子层
  • 2篇铋离子
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土掺杂
  • 2篇离子注入
  • 2篇离子注入技术
  • 2篇纳米硅
  • 2篇界面态

机构

  • 12篇南京大学

作者

  • 12篇张晓伟
  • 6篇徐岭
  • 6篇徐骏
  • 6篇陈坤基
  • 6篇李伟
  • 4篇余林蔚
  • 4篇张培
  • 2篇芮云军
  • 2篇李淑鑫
  • 2篇陆鹏
  • 2篇孙胜华
  • 2篇林少兵
  • 2篇许杰

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
文献传递
德力西公司诉江苏博恩公司等违法减资责任承担案评析
公司减资是属于自身的一种经营活动,然则公司减资会涉及到公司、股东以及债权人等多方主体的利益,如果法律对其的规定不能在尽可能之下寻求多方利益的平衡,很可能会给一方或多方造成不公平的损害后果。因此,对于减资不能只有粗放的法律...
张晓伟
关键词：公司减资股东责任
文献传递
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
文献传递
高管激励机制与企业创新投入关系研究
“科学技术是第一生产力”,在竞争环境日趋复杂的今天,在创新研发上增强主动作为有利于企业扩大并保持自己的领先地位。本文通过理论分析和实证研究,从缓解委托代理问题的高管激励机制出发,探讨主要的高管激励机制与企业创新投入之间的...
张晓伟
关键词：高管激励冗余资源股权结构
利用能量共振转移过程增强稀土掺杂硅基薄膜材料荧光效率的研究
随着英特尔公司宣布22纳米芯片制造工艺开始投产，集成电路的器件尺寸不断缩小，逐渐接近其物理极限。将微纳电子器件与光子器件集成，实现硅基单片光电集成是当前的研究热点，而如何获得高效、稳定的硅基光源始终是实现硅基单片光电集成...
张晓伟
关键词：半导体材料硅基薄膜稀土掺杂
利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法
利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4-16层，通过控制非晶硅的...
徐骏张培张晓伟谭大猛绪欣李伟徐岭余林蔚陈坤基
文献传递
共掺硅基复合薄膜发光特性及纳米结构生长过程的原位研究
随着美国英特尔公司在“2016英特尔信息技术峰会”中宣布10纳米芯片制造工艺将在2017年下半年开始投产，集成电路的集成度越来越高，器件的特征尺寸不断缩小，将逐渐接近其物理极限，因此集成电路的进一步发展遇到了极大的挑战。...
张晓伟
关键词：硅基薄膜稀土掺杂过渡金属离子半导体量子点发光特性
利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法
利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，...
徐骏张晓伟张培李伟林少兵徐岭余林蔚陈坤基
文献传递
利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法
利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，...
徐骏张晓伟张培李伟林少兵徐岭余林蔚陈坤基
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利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法
利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4‑16层，通过控制非晶硅的...
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