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任芳芳

作品数：113 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 111篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 26篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 19篇势垒
  • 19篇势垒层
  • 18篇氮化镓
  • 17篇肖特基
  • 16篇二极管
  • 14篇探测器
  • 13篇半导体
  • 12篇增强型
  • 11篇电路
  • 10篇电极
  • 10篇氧化镓
  • 10篇晶体管
  • 9篇光电
  • 8篇栅极
  • 7篇禁带
  • 7篇抗辐照
  • 7篇宽禁带
  • 6篇雪崩
  • 6篇紫外探测
  • 6篇紫外探测器

机构

  • 113篇南京大学

作者

  • 113篇任芳芳
  • 60篇陆海
  • 50篇周东
  • 48篇周峰
  • 42篇叶建东
  • 38篇顾书林
  • 24篇张荣
  • 24篇朱顺明
  • 10篇郑有炓
  • 9篇汤琨
  • 7篇张彦芳
  • 6篇纪小丽
  • 6篇徐阳
  • 6篇闫锋
  • 4篇樊亚仙
  • 4篇王慧田
  • 3篇柏宇
  • 3篇陈璟
  • 2篇丁剑平
  • 2篇王珂

年份

  • 23篇2025
  • 30篇2024
  • 10篇2023
  • 15篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 113 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法
本发明提供了一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法，属于半导体技术领域，包括自下而上设置的衬底层和氮化镓层，氮化镓层上表面的有源区自下而上依次设置有有源区氮化镓层、势垒层、第一介质层和第二介质层，...
周峰邹灿陆海徐尉宗周东任芳芳
一种具有κ-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法
本发明公开了一种具有κ‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬...
叶建东许轲万昌锦雒玉蓉李展华任芳芳顾书林张荣
半导体器件原位测试系统
本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测...
周峰王文峰陆海徐尉宗周东任芳芳
一种UVC增强型PIN结构的4H-SiC紫外探测器
本发明公开了一种UVC增强型PIN结构的4H‑SiC紫外探测器，上电极4H‑SiC欧姆接触层采用非均匀掺杂的掺杂分布，在该层欧姆接触层内形成一个内建电场，有效降低了光生载流子在该层欧姆接触层内的复合几率，提升了电极的收集...
周东陆海徐尉宗任芳芳
文献传递
基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法
本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子...
叶建东陈燕婷张贻俊郝景刚任芳芳朱顺明顾书林张荣
一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法
一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200‑40...
叶建东张彦芳任芳芳朱顺明唐东明杨燚顾书林
文献传递
一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法
本发明提供了一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。采用上述制作方法制作的抗辐照氮化镓功率二极管，其与相关技术中的传统器件结构相比，通过将型氮化镓层分段间隔排列，在P型氮化镓层的间隔处以及P型氮化镓层...
周峰荣玉陆海徐尉宗周东任芳芳
一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜及其制备
本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气...
叶建东陈选虎任芳芳朱顺明汤琨顾书林郑有炓
文献传递
一种半导体用超声波缺陷检测设备
本发明涉及缺陷检测设备领域，公开了一种半导体用超声波缺陷检测设备，包括检测台，所述检测台顶端滑动设置有两个滑块，且每个滑块顶端分别固定连接有垫板，每个所述垫板顶端分别固定连接有第一夹块和第二夹块，且第一夹块和第二夹块一侧...
叶建东任芳芳朱顺明顾书林
基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法
本发明提出了一种基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法。其探测器包括多频表面等离子体共振天线和晶体管；多频表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括扇形环嵌套接收面和水平振子，扇形环嵌套接收面...
纪小丽王珂闫锋任芳芳
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