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高旭辉

作品数:34 被引量:38H指数:3
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 18篇刚石
  • 17篇金刚石
  • 10篇金刚石膜
  • 7篇热沉
  • 5篇金刚石薄膜
  • 4篇气相沉积
  • 4篇热阻
  • 4篇纳米
  • 4篇界面热阻
  • 4篇刻蚀
  • 4篇激光
  • 4篇半导体
  • 4篇衬底
  • 3篇形核
  • 3篇支撑体
  • 3篇热沉材料
  • 3篇微波等离子体
  • 3篇膜厚
  • 3篇膜厚均匀性
  • 3篇均匀性

机构

  • 34篇北京科技大学
  • 2篇北京大学
  • 2篇北京有色金属...

作者

  • 34篇高旭辉
  • 31篇魏俊俊
  • 27篇李成明
  • 20篇陈良贤
  • 20篇刘金龙
  • 9篇吕反修
  • 7篇张建军
  • 7篇黑立富
  • 4篇陈广超
  • 3篇贺琦
  • 2篇唐伟忠
  • 2篇余怀之
  • 2篇郭会斌
  • 1篇倪晋仁
  • 1篇石绍渊
  • 1篇朱秀萍
  • 1篇佟玉梅
  • 1篇杨海
  • 1篇程宏范

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇科学咨询
  • 1篇科技资讯

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 3篇2005
  • 1篇2004
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
红外光学材料硫化锌衬底上沉积金刚石膜的研究被引量:3
2005年
采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜。在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核。本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍。此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价。
高旭辉吕反修魏俊俊李成明陈广超余怀之
关键词:金刚石膜
CVD金刚石材料发展现状分析被引量:1
2024年
金刚石除具有宝石属性外,还是一种集声、光、热、力、电、量子等众多优异性能于一身的多功能超极限材料,被赋予“钻石恒久远”“工业的牙齿”“终极半导体”等众多美誉,有着很高的商业价值、工业价值和科研价值。化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术的发展,极大地拓展了金刚石材料的应用领域,为激活金刚石的各项终极潜能提供了基础。近年来,大尺寸、高质量、低成本、多样式的CVD金刚石材料不断被开发,终端应用场景已经从早期的工具级逐渐拓展至装饰、热学、光学,甚至半导体等高端领域,并且呈小幅井喷的态势。围绕CVD金刚石材料的研究与应用现状展开梳理,介绍CVD金刚石生长技术、应用领域和前沿研究进展,并对未来金刚石材料的发展趋势进行展望。
高旭辉
关键词:金刚石化学气相沉积热沉材料光学窗口金刚石半导体
一种采用双金刚石层实现GaN原始衬底转移的方法及应用
本发明公开了一种采用双金刚石层实现GaN原始衬底转移的方法及应用。方法包括:选择一种GaN晶圆,GaN晶圆具有原始衬底;在GaN晶圆生长面表面生长第一过渡层;在第一过渡层表面沉积第一CVD金刚石膜,作为临时载体;采用化学...
魏俊俊贾鑫李成明陈良贤刘金龙张建军高旭辉
文献传递
金刚石—终极半导体的“破茧”之路被引量:1
2024年
半导体行业是当今世界科技创新的重要驱动力,也是体现各国竞争力的重要标志。半导体材料作为半导体行业的核心,其性能的高低直接决定了半导体产业的技术水平。人造金刚石自问世以来,即以其优异的半导体特性,被赋予了“终极半导体”的美誉。然而,经过近半个世纪的发展,金刚石材料的半导体应用之路仍然是“路漫漫其修远兮”,既面临高质量金刚石半导体材料的生长加工难题,也有金刚石半导体器件设计的关键瓶颈等亟待攻克的技术难题。本文针对金刚石半导体在材料和器件方面的特性、潜在应用、主要研究进展,以及目前面临的一些瓶颈问题进行讨论。
高旭辉
关键词:CVD金刚石半导体
在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究被引量:13
2004年
本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究。发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致。本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价。
吕反修高旭辉郭会斌陈广超李成明唐伟忠佟玉梅余怀之程宏范杨海
关键词:硫化锌微波等离子体ZNS衬底衬底材料
一种大面积沉积金刚石膜的热丝架
本实用新型涉及化学气相沉积金刚石膜领域,特别是热丝化学气相沉积装置中的热丝架及其制造方法。热丝架包括左钼电极(1),右钼电极(2),带凹槽销钉(3),弧形槽(4),弹簧架(5),外边条(6),若干根长度相等的灯丝(7),...
魏俊俊李成明高旭辉黑立富吕反修
文献传递
一种快热响应超黑材料及其制备方法
一种具备高导热性超黑材料的制备方法,属于功能材料与器件制造领域。采用CVD方式在原始载体上沉积金刚石膜,然后依次完成研磨、抛光等处理工序;随后在CVD金刚石膜表面溅射沉积催化金属层,并通过等离子体刻蚀加热处理工艺实现纳米...
魏俊俊史佳东涂军磊李成明刘金龙陈良贤高旭辉
一种金刚石基薄膜电阻器元件的制造方法
一种金刚石基薄膜片式电阻器元件的制备方法,属于电子元器件制造领域。采用CVD方式在原始载体上沉积金刚石膜,然后依次完成研磨、抛光、划片以及刻蚀处理工序;随后在图形化CVD金刚石膜表面构建薄膜电阻器,并通过热处理工艺实现薄...
魏俊俊李成明陈良贤刘金龙高旭辉
文献传递
一种超高热流密度散热用金刚石微通道热沉的制备方法
本发明涉及一种超高热流密度散热用金刚石微通道热沉的制备方法,属于半导体器件散热领域。通过特殊的衬底技术,以及改进的CVD制备工艺,实现高品质、无裂纹、超厚金刚石自支撑膜的制备;并根据热接触界面要求通过机械研磨抛光控制金刚...
魏俊俊齐志娜李成明陈良贤刘金龙张建军高旭辉
文献传递
一种基于催化反应减小纳米金刚石粒径的方法
一种基于催化反应减小纳米金刚石尺寸的方法,属于纳米材料领域。工艺步骤为:a.对所选用人工合成的纳米金刚石粉体先用化学处理的方法进行纯化并分离,然后干燥备用;b.将纯化干燥后的纳米金刚石分散在去离子水中,并磁力搅拌使其形成...
魏俊俊荆豆红梁轶凡贾鑫李成明刘金龙陈良贤高旭辉
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