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石彦强

作品数:19 被引量:1H指数:1
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇电气工程

主题

  • 16篇欧姆接触
  • 15篇电池
  • 15篇碳化硅
  • 15篇核电池
  • 14篇欧姆接触电极
  • 14篇接触电极
  • 8篇心脏
  • 8篇心脏起搏
  • 8篇心脏起搏器
  • 8篇起搏
  • 8篇起搏器
  • 8篇肖特基
  • 6篇电池效率
  • 6篇肖特基接触
  • 4篇能量转换
  • 4篇能量转换效率
  • 4篇微系统
  • 4篇备用电源
  • 2篇电极
  • 2篇电路

机构

  • 19篇西安电子科技...

作者

  • 19篇石彦强
  • 18篇张玉明
  • 16篇郭辉
  • 8篇张玉娟
  • 8篇韩超
  • 4篇侯学智
  • 4篇张克基
  • 4篇陈丰平
  • 4篇贾仁需
  • 2篇吕红亮
  • 2篇段福莉
  • 2篇项萍
  • 2篇苏江
  • 2篇张义门
  • 2篇黄建华

年份

  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法
本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法,主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×10<Sup>18</Sup>~7×...
郭辉张克基张玉明张玉娟韩超石彦强
碳化硅环状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的环状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、环状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为5×10<Sup...
张玉明石彦强郭辉段福莉贾仁需
文献传递
I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法
本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法,主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO<Sub>2</Sub>致密绝缘层...
郭辉张克基张玉明张玉娟韩超石彦强
基于碳化硅三极管的β射线探测器
本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法,主要解决了现有β射线探测器灵敏度低,抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触(1)、掺杂浓度为1×10<Sup>19</Su...
郭辉石彦强张玉明陈丰平
基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路
本发明公开了一种基于GaAs HBT器件的模拟反射型I-Q矢量调制电路,主要解决现有调制电路占用芯片面积比大,成本高的问题。其包括:一个3-dB lange耦合器(1),两个模拟反射型衰减器(6,7),和1个3-dB w...
吕红亮侯学智张玉明张义门石彦强
文献传递
碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法
本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法,主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO<Sub>2</Sub>致密绝缘层(2)、SiO<Sub>2...
郭辉张玉娟张玉明石彦强项萍
文献传递
碳化硅环状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的环状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、环状半透明肖特基接触层(2)、掺杂浓度为5×10<Sup...
张玉明石彦强郭辉段福莉贾仁需
碳化硅指状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接...
郭辉石彦强张玉明韩超陈丰平侯学智
文献传递
I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法
本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法,主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×10<Sup>18</Sup>~7×...
郭辉张克基张玉明张玉娟韩超石彦强
文献传递
碳化硅指状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接...
郭辉石彦强张玉明韩超陈丰平侯学智
共2页<12>
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