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江作

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇点接触
  • 3篇电池
  • 3篇双层膜
  • 3篇太阳电池
  • 3篇晶体硅
  • 3篇晶体硅太阳电...
  • 3篇抗反射
  • 3篇光电转换
  • 3篇光电转换效率
  • 3篇硅太阳电池
  • 1篇红外
  • 1篇红外光

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇王建禄
  • 3篇窦亚楠
  • 3篇江作
  • 3篇何悦
  • 3篇褚君浩
  • 3篇王涛

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔...
窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
一种背面点接触晶体硅太阳电池
本专利公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的...
窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
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一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔...
窦亚楠何悦王涛江作王建禄褚君浩
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