毕大炜
- 作品数：33 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响被引量：1
- 2013年
- 本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.
- 宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌
- 关键词：SOI
- 一种流水线模数转换器校正方法
- 本发明涉及一种流水线模数转换器校正方法，包括以下步骤：S0设定目标校正子级，所述目标校正子级包括流水线模数转换器的前两级流水线子级；S1在每个所述目标校正子级内部的Flash ADC和DAC阵列之间嵌入基于树型译码器的随...
- 赵正亮董业民毕大炜
- 表面粗糙化来提高SiO2中纳米硅的拉曼强度
- 2011年
- 本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.
- 张有为毕大炜公祥南边惠万里唐东升
- 关键词：纳米硅拉曼散射
- 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固被引量：2
- 2011年
- 本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。
- 王茹张正选俞文杰毕大炜陈明刘张李宁冰旭
- 关键词：绝缘体上硅注氧隔离总剂量辐照纳米晶
- 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)
- 研究采用硅离子注入及高温退火的方法对 SOI 材料进行抗辐射加固．通过对比发现,制作在加固 SOI 衬底上的 NMOS 器件和 CMOS 反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低．陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理．...
- 俞文杰张正选贺威田浩陈明王茹毕大炜
- 关键词：总剂量辐射离子注入
- 文献传递
- Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较
- 2010年
- 本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。
- 毕大炜张正选张帅
- 关键词：SIMOX总剂量辐射效应
- 硅离子注入进行二氧化硅总剂量加固机理
- 采用10keVX射线辐射研究了注硅二氧化硅的总剂量辐射特性。用光致发光谱研究样品的纳米结构及其与辐射特性的关系。作为对比,还研究了氩离子注入二氧化硅样品的总剂量辐射特性和微观结构。结果表明,硅离子注入及后续退火工艺可以大...
- 陈明张正选毕大炜张帅
- 关键词：离子注入电离辐射总剂量辐射二氧化硅平带电压
- 文献传递
- 基于RISC V自定义指令的数学函数的高效实现
- 2025年
- 在工业控制算法中,数学函数的计算往往需要大量的时钟周期,会影响算法的性能。本文对相关数学函数计算方法进行深入分析和方案对比,设计了一种适合硬件电路实现的基于Remez算法的分段查表多项式拟合方法来计算浮点数学函数,同时实现了相应的硬件电路以RISC-V自定义指令的方式与RISC-V处理器内核紧耦合。实验结果表明,与无自定义扩展指令相比,处理器计算数学函数的延迟减小了93.62%。相较于CORDIC指令集计算数学函数的方法,计算延迟减小了79.83%。这一成果为低成本、高实时性要求的RISC-V架构的嵌入式微处理器提供了新的思路和解决方案。
- 邢根胡志远毕大炜
- 关键词：数学函数嵌入式系统
- 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
- 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
- 刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹
- 关键词：控制电路总剂量辐射效应
- 文献传递
- 微环电光调制器及其制备方法
- 本发明提供一种微环电光调制器及其制备方法，微环电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层；本发明将掺杂离子注入埋氧层中形成辐射加固层，以在辐射加固层中产生大量电子陷阱，从而可俘获电子，以补偿由于高...
- 周悦毕大炜吴龙生武爱民
- 文献传递
