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樊启文

作品数:69 被引量:7H指数:1
供职机构:中国原子能科学研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:理学核科学技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 13篇会议论文

领域

  • 21篇理学
  • 9篇核科学技术
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇化学工程
  • 3篇文化科学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程

主题

  • 22篇同位素
  • 8篇天体
  • 8篇天体物理
  • 8篇自支撑
  • 6篇结合力
  • 6篇溅射
  • 6篇核物理
  • 6篇N
  • 5篇电子轰击
  • 5篇角分布
  • 5篇厚度
  • 5篇衬底
  • 4篇真空室
  • 4篇能级
  • 4篇中子
  • 4篇重离子
  • 4篇加速器
  • 4篇靶材
  • 4篇P
  • 3篇氧同位素

机构

  • 68篇中国原子能科...
  • 4篇北京师范大学
  • 3篇北京航空航天...
  • 3篇深圳大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院国...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇南方科技大学

作者

  • 68篇樊启文
  • 27篇张榕
  • 24篇孟波
  • 20篇胡跃明
  • 19篇杜英辉
  • 13篇郭冰
  • 12篇李云居
  • 11篇李志宏
  • 11篇王友宝
  • 11篇曾晟
  • 11篇颜胜权
  • 11篇柳卫平
  • 10篇刘建成
  • 9篇连钢
  • 9篇苏俊
  • 8篇李二涛
  • 8篇许国基
  • 7篇白希祥
  • 7篇贺创业
  • 7篇李志常

传媒

  • 13篇原子能科学技...
  • 5篇原子核物理评...
  • 4篇核技术
  • 3篇第十四届全国...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇同位素
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇2013年全...
  • 1篇第九届中国核...

年份

  • 2篇2025
  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种在高硼硅玻璃上镀制高纯Ni/Cu双层靶膜的方法
本发明属于核靶制备技术领域,公开了一种在高硼硅玻璃上镀制高纯Ni/Cu双层靶膜的方法。该方法是利用金属蒸汽真空弧离子源——过滤阴极真空弧——电阻加热真空蒸发组合设备进行该双层靶膜的镀制的。采用本发明提供的方法能够成功制备...
樊启文王华胡跃明孟波张榕
氧同位素靶的制备方法
本发明属于靶材制备技术领域,公开了氧同位素靶的制备方法。该方法包括:将气体状态的氧气同位素<Sup>17</Sup>O<Sub>2</Sub>或<Sup>18</Sup>O<Sub>2</Sub>与钨粉发生氧化还原反应生...
樊启文孟波王华
文献传递
同位素<Sup>10</Sup>B材料的烧结方法
本发明属于同位素靶材制备技术领域,公开了一种同位素<Sup>10</Sup>B材料的烧结方法。该方法是将<Sup>10</Sup>B材料压制成型后置入碳坩埚内,在真空条件下,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法轰击<Sup>...
樊启文孟波王华
恒星中子源^(13)C(α,n)^(16)O反应的研究
2014年
13 C(α,n)16 O是渐进巨星支(AGB)星中慢速中子俘获(s)过程的主中子源反应,而17 O 6.356 MeV1/2+阈下共振对13 C(α,n)16 O反应影响很大。本文使用HI-13串列加速器和Q3D磁谱仪,首次测量了13C(11B,7Li)17 O转移反应角分布,确定了影响13C(α,n)16 O反应最关键、最不确定的17 O(Ex=6.356MeV)阈下共振态的α宽度,从而得出天体物理能区13 C(α,n)16 O反应的天体物理S因子和反应率,澄清了国际上已有S因子数据间高达25倍的巨大分歧。AGB星s过程核合成网络计算表明:新反应率数据导致恒星中铅的丰度增加了25%。
郭冰李志宏M.LugaroJ.Buntain庞丹阳李云居苏俊颜胜权吴志丹白希祥陈永寿杜先超樊启文甘林金孙均A.I.Karakas李二涛李志常连钢刘建成刘鑫施建荣舒能川王宝祥王友宝曾晟柳卫平
关键词:天体物理AGB星
一种松弛装置
本申请属于加速器应用技术领域,公开了一种松弛装置。该装置包括:松弛室,用于为待松弛剥离膜提供支撑及松弛空间;供气室,用于提供压缩空气以及为储气室提供负压环境,其位于松弛室下方。该装置可将剥离膜在垂直方向向下延伸以松弛剥离...
王华樊启文孟波
文献传递
一种自支撑型&lt;sup&gt;61&lt;/sup&gt;Ni同位素靶的制备方法
本发明属于靶的制备技术领域,公开了一种自支撑型<Sup>61</Sup>Ni同位素靶的制备方法。该方法包括的步骤为:(1)同位素粉末的凝结;(2)轧制与真空退火交替进行2~5次;(3)轧制。该方法能够制备面积可达6000...
樊启文杜英辉张榕胡跃明
文献传递
一种用于铁、钴、镍、钛同位素材料的凝结装置
本公开属于同位素材料凝结技术领域,具体涉及一种用于铁、钴、镍、钛同位素材料的凝结装置。该凝结装置包括真空室、冷凝器、加热器及收集器。其中冷凝器、加热器、收集器都位于真空室内。所述的真空室的形状为钟罩型,对真空室抽真空使室...
樊启文胡跃明王华孟波张榕
文献传递
类金刚石碳剥离膜的制备及其性能研究被引量:1
2015年
采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术制备了质量厚度为5~7μg/cm2的类金刚石碳(DLC)剥离膜。用XP2U型精密电子天平测试分析了100mm范围内的DLC剥离膜均匀性,结果显示其最大不均匀性小于10%。通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、万能摩擦磨损试验机和X光电子谱(XPS)测试分析了DLC剥离膜的表面形貌、耐磨损特性和结构,结果显示采用双90°FCVA技术沉积的DLC剥离膜表面光滑致密、耐磨,几乎没有大颗粒的污染,表征金刚石特性的sp3键含量超过70%。在北京HI-13串列加速器上使用107 Ag-、70 Ge-、48 Ti-、28Si-、197 Au-和127I-六种典型质量的离子束对质量厚度为5~7μg/cm2的DLC剥离膜和碳剥离膜寿命进行测试比较,结果显示DLC剥离膜寿命比碳剥离膜的高2.6~10倍。
樊启文杜英辉张榕夏清良
HI-13串列加速器2008~10年运行与维护情况
HI—13 串列加速器2008~2010 年串列加速器运行情况,对近几年完成或正在进行的技术改造、专用束流线建设、性能与材料的研制与提高等做一简单的介绍。
胡跃明樊启文范宏盛陈楠杨宝君胡任威夏清良隗永学金春生王美燕张秋红阚朝新孟波魏蒙存刘春江李明龙王华赵茁马征宇包轶文游曲波王晓飞苏胜勇杨涛方玉庆刘徳忠
关键词:串列加速器
一种在高硼硅玻璃上镀制高纯Ni/Cu双层靶膜的方法
本发明属于核靶制备技术领域,公开了一种在高硼硅玻璃上镀制高纯Ni/Cu双层靶膜的方法。该方法是利用金属蒸汽真空弧离子源——过滤阴极真空弧——电阻加热真空蒸发组合设备进行该双层靶膜的镀制的。采用本发明提供的方法能够成功制备...
樊启文王华胡跃明孟波张榕
文献传递
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