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杨震

作品数：20 被引量：2H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学交通运输工程政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 6篇电路
  • 4篇源极
  • 4篇运算电路
  • 4篇时域
  • 4篇集成电路
  • 4篇SRAM
  • 3篇漏极
  • 3篇存储器
  • 2篇电路技术
  • 2篇电路设计
  • 2篇多比特
  • 2篇语言模型
  • 2篇社会权力
  • 2篇使用效率
  • 2篇双极性
  • 2篇随机存取
  • 2篇随机存取存储...
  • 2篇隧道结
  • 2篇切换
  • 2篇切换电路

机构

  • 19篇安徽大学
  • 1篇铜陵学院

作者

  • 20篇杨震
  • 13篇周永亮
  • 9篇彭春雨
  • 8篇杨盼
  • 7篇吴秀龙
  • 4篇吴凯
  • 3篇陈洁
  • 3篇段震
  • 3篇赵姝
  • 2篇李响
  • 2篇李鑫
  • 2篇丁鹏
  • 2篇蔺智挺

传媒

  • 1篇浙江树人大学...

年份

  • 6篇2025
  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
我国民办高校社会权力的现状及思考被引量：1
2011年
改革开放三十多年来,我国民办高校取得了长足的发展,但社会权力却不够突出,主要表现为公法性质的欠缺和办学自主权的缺乏。这不但会降低民办高校的法律地位,而且也会限制民办高校的健康发展。要完善民办高校的社会权力,需贯彻法律规定,转变政府职能、落实办学自主权。
杨震
关键词：民办教育民办高等教育民办高校社会权力办学自主权
时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2，6个NMOS管N1~N6，以及一个电容C0构成；其中，N5、N6和C0构成...
周永亮杨震杨盼吴凯王俊杰何宗良江尚峰韦一鸣林枭
一种应用于低电压SRAM的自适应灵敏放大器电路、模组
本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及一种应用于低电压SRAM的自适应灵敏放大器电路，以及采用该种电路布局的灵敏放大器模组。本发明通过切换开关模块对位线BL/BLB与灵敏放大模块两输入端的连接关系进行调整，实现二者的...
周永亮武赛赛施琦杨震韦一鸣周子璇刘立彭春雨吴秀龙
基于大语言模型的Cypher一栈式对齐生成方法及装置
本发明提供基于大语言模型的Cypher一栈式对齐生成方法，属于知识图谱问答领域，方法包括：将用户查询以及知识图谱的模式信息输入大语言模型生成初始Cypher查询语句；基于思维链提示技术，从知识图谱中检索得到与用户查询相关...
赵姝林永兴张明瀚吴红生杨震杜伟陈洁段震
时域存算单元、时域量化单元、及时域存内计算结构
本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及时域存算单元、时域量化单元、及时域存内计算结构。本发明基于经典的6T‑SRAM子单元进行设计；6T‑SRAM子单元用于存储权重数据，通过字线INL、INM实现输入，通过多比特...
周永亮林枭杨盼周子璇韦一鸣杨震彭春雨
8T-SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路
本申请涉及一种8T‑SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路，其中，该存内计算阵列包括：包括行分布的单元阵列和双极性计算单元，单元阵列包括行分布的多个8T‑SRAM存算单元，双极性计算单元包括第一反相器、第二反相器、...
周永亮杨震杨盼李响明子涵夏瑞汶丁鹏彭春雨吴秀龙
食品类上市公司社会责任投入的股市效应研究
随着我国国内生产总值的增长和城市化水平的提高，居民可支配收入大幅增加，拉动居民消费增长，推动需求结构升级，带动食品行业规模稳步增长。然而我国的食品安全现状一直令人担忧，自2008年三鹿乳业三聚氰胺事件曝光以来，食品安全事...
杨震
关键词：社会责任财务绩效信息披露
文献传递
多比特运算模块以及使用了该模块的存内计算电路结构
本发明涉及静态随机存储器技术领域，更具体的，涉及多比特运算模块，以及使用了该模块的存内计算电路结构。本发明的多比特运算模块通过计算位线负载电容的放电累加完成了多比特乘累加运算，分比特权重和分离全局位线的设计具有良好的计算...
周永亮 周子璇 施琦杨震 韦一鸣彭春雨吴秀龙
一种9T2M的nvSRAM单元、模式切换电路以及非易失性存储电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种9T2M的nvSRAM单元、模式切换电路以及非易失性存储电路。nvSRAM单元包括PMOS管P1~P4，NMOS管N1~N5，以及磁隧穿结MTJ1和MTJ2，其中，P1、P2、N1...
周永亮韦一鸣杨震周子璇彭春雨戴成虎郝礼才李鑫蔺智挺吴秀龙
多比特运算模块以及使用了该模块的存内计算电路结构
本发明涉及静态随机存储器技术领域，更具体的，涉及多比特运算模块，以及使用了该模块的存内计算电路结构。本发明的多比特运算模块通过计算位线负载电容的放电累加完成了多比特乘累加运算，分比特权重和分离全局位线的设计具有良好的计算...
周永亮周子璇施琦杨震韦一鸣彭春雨吴秀龙
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