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一种基于0.35μm CMOS工艺的14位100MSPS DAC设计被引量：7: 2004年; 基于 TSMC 0 .3 5μm CMOS工艺设计了一种工作电压为 3 V/ 5 V的 1 4位 1 0 0 MSPS DAC。 1 4位DAC在 5 0 Ω负载条件下满量程电流可达 2 0 m A,当采样速率为 1 0 0 MHz时 ,5 V电源的满量程条件下功耗为1 90 m W,而 3 V时的相应功耗为 45 m W该 DAC的积分非线性误差 ( IN L )为± 1 .5 LSB,微分非线性误差( DN L)为± 0 .75 LSB。在 1 2 5 MSPS,输出频率为 1 0 MHz条件下的无杂波动态范围 ( SFDR)为 72 d Bc。; 朱樟明杨银堂柴常春殷和国张春朋付永朝杨冰; 关键词：开关序列带隙基准源

PZT压电薄膜在微传感器中的应用被引量：17: 2003年; 锆钛酸铅压电材料(PZT)因具有优良的压电性能、热释电性能、铁电性能和介电性能而被广泛地应用在微电子机械系统(MEMS)中。基于微传感器,介绍了PZT薄膜,重点介绍了PZT薄膜在微传感器中的应用,并介绍了PZT薄膜微传感器的发展状况。; 杨冰杨银堂李跃进; 关键词：微传感器锆钛酸铅微电子机械系统

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杨冰