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李军建

作品数:9 被引量:4H指数:1
供职机构:宁波大学更多>>
发文基金:宁波大学王宽诚幸福基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术自动化与计算机技术矿业工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 6篇存储器
  • 4篇晶态
  • 3篇晶化
  • 3篇晶化温度
  • 3篇溅射
  • 2篇射频溅射
  • 2篇温度
  • 2篇结晶温度
  • 2篇可逆循环
  • 2篇化学结构
  • 2篇化学结构式
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻
  • 1篇性能研究
  • 1篇数据保存
  • 1篇逆相变
  • 1篇器用

机构

  • 9篇宁波大学

作者

  • 9篇李军建
  • 7篇沈祥
  • 6篇王国祥
  • 6篇徐铁峰
  • 6篇吕业刚
  • 5篇聂秋华
  • 5篇戴世勋
  • 5篇陈益敏
  • 2篇田曼曼
  • 1篇陈飞飞
  • 1篇张巍
  • 1篇王训四
  • 1篇章亮
  • 1篇罗阳
  • 1篇蒋科锋

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇第七届中国功...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种高速的伪纳米复合Mg‑Sb‑Te可逆相变薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高速的伪纳米复合Mg‑Sb‑Te可逆相变薄膜,特点是该可逆相变薄膜的材料为Mg、Sb、Te三种元素的混合物,其化学结构式为Mg<Sub>x</Sub>(Sb<Sub>7</Sub>Te<Sub>3</Su...
罗阳王国祥吕业刚李军建钟珏晨沈祥陈飞飞蒋科锋
文献传递
掺杂Mg的Sb2Te3薄膜的性能研究
Sb2Te3薄膜析晶温度低,沉积态已经出现了明显的析晶峰,非晶态热稳定性差,无法投入实际应用.引入Mg后,提高了薄膜的析晶温度,沉积态薄膜为非晶态,且Mg掺杂量越高,析晶温度越高.另外,Mg的引入还提高了薄膜的非晶态电阻...
李军建沈祥王国祥陈益敏吕叶刚戴世勋徐铁峰聂秋华
关键词:相变存储器晶化温度热稳定性
一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法,特点是该材料由锌,锑,碲三种元素组成,其化学结构式为Zn<Sub>X</Sub>(Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>)<...
沈祥王国祥聂秋华陈益敏李军建徐铁峰戴世勋吕业刚
文献传递
一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法,特点是该材料化学结构式为Zn<Sub>x</Sub>Sb<Sub>(</Sub><Sub>100-x</Sub><Sub>)</Sub>(0&lt;x&l...
沈祥陈益敏王国祥李军建吕业刚王训四戴世勋徐铁峰聂秋华
文献传递
相变存储器用Mg掺杂硫族化合物性能的研究
随着人类社会的飞速发展,电子产品市场对存储器的要求与日俱增。闪存是目前世界上最主流的存储器,但是进入45nm技术节点后,器件的大小将难以进一步缩小,其发展已经遭遇技术瓶颈的困扰。因此,世界各大半导体公司都在研发新型的存储...
李军建
关键词:相变存储器电学特性硫族化合物
用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料
本发明公开了用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料,特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn-Sb-Se化合物,其化学结构式为Zn<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>Se<Sub>z</Sub>,其...
王国祥沈祥徐培鹏吕业刚陈益敏田曼曼李军建戴世勋聂秋华徐铁峰
文献传递
硫系玻璃光子晶体光波导的制备研究进展被引量:4
2013年
光子晶体是一种介质常数周期性变化的人工介质材料,具有光子带隙和光子局域两个主要特征。光子晶体光波导是利用光子带隙特性传输光信息的光学器件。与传统的条形光波导相比,它最大的优势是在大的拐角处具有很低的传输损耗(如在60\O弯曲时传输损耗可以降低到5%),因此非常适合用于集成光学。从硫系玻璃材料的特征入手,详细介绍了聚焦离子束和电子束曝光这两种光子晶体光波导常用的制备方法,通过这两种方法制备出来的光子晶体光波导都具有较高的表面平整度和较低的传输损耗。对两种方法的制备工艺和特点进行了比较。最后简单介绍了硫系光子晶体光波导的应用,并对硫系光子晶体光波导的发展前景做了展望。
王贤旺张巍章亮李军建徐铁峰
关键词:硫系玻璃光子晶体波导光子晶体带隙
用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料
本发明公开了用于相变存储器的Zn‑Sb‑Se相变存储薄膜材料,特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn‑Sb‑Se化合物,其化学结构式为Zn<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>Se<Sub>z</Sub>,其...
王国祥沈祥徐培鹏吕业刚陈益敏田曼曼李军建戴世勋聂秋华徐铁峰
文献传递
一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法,特点是该材料由锌,锑,碲三种元素组成,其化学结构式为Zn<Sub>X</Sub>(Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>)<...
沈祥王国祥聂秋华陈益敏李军建徐铁峰戴世勋吕业刚
文献传递
共1页<1>
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