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朱国良

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移率
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇PHEMT
  • 1篇GAAS_P...

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇袁明文
  • 1篇朱国良
  • 1篇刘晨晖

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究被引量：2
1996年
阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件。在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。
朱国良袁明文刘晨晖邱伟聂慧君
关键词：高电子迁移率砷化镓PHEMT
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共1页<1>
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