曹博
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金甘肃省科技重大专项计划更多>>
- 相关领域：理学农业科学更多>>
- 可旋转花盆
- 本实用新型涉及盆栽技术领域，尤其是涉及一种可旋转花盆。可旋转花盆包括盆体、连接轴和底座；底座水平放置，盆体放置与底座的正上方，连接轴沿竖直方向延伸，且连接轴的一端与底座相连接，连接轴的另一端与盆体的底部转动连接，从而将盆...
- 蒲军刘志鹏曹博周强毛培吴昱果
- 文献传递
- 歪头菜等四种豆科牧草荚果发育动态及裂荚特性研究
- 豆科牧草广泛分布于全世界，具有蛋白质含量高、适口性好以及固氮能力强等特点，在草地农业生态系统中具有不可替代的作用，但绝大多数野生豆科牧草存在裂荚现象，给种子生产带来了严重损失。因此确定其准确的种子适宜收获时间并探究其裂荚...
- 曹博
- 关键词：豆科牧草荚果发育转录组测序
- 文献传递
- 铜硅体系的扩散和界面反应
- 本论文利用RBS等分析测试手段分别研究了在退火前后磁控溅射及离化团簇束沉积Cu薄膜和不同Si衬底之间的扩散和界面反应。利用反应扩散理论及硅化物的生长理论对实验结果进行了分析，并结合定性研究对扩散系数做了估算。
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- 曹博
- 关键词：磁控溅射沉积
- 文献传递
- Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应被引量：1
- 2006年
- 室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜。采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu.SiO2.Si(100)体系的扩散和界面反应。RBS分析得出:对于Cu.SiO2.Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成。这比已有文献报道的温度低。
- 曹博包良满李公平何山虎
- 关键词：扩散硅化物
- 用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程被引量：5
- 2005年
- 室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜。用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式。Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长。溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大。当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小。
- 包良满曹博李公平何山虎
- 关键词：AFM形貌
- Cu/SiO_2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应被引量：9
- 2006年
- 室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应.实验结果表明:当退火温度高于450℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著.当退火温度低于450℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500℃时才有铜硅化合物生成.
- 曹博包良满李公平何山虎
- 关键词：扩散硅化物
