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彭嘉

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 4篇晶体管
  • 4篇开关晶体管
  • 4篇集成电路
  • 4篇测试电路
  • 3篇应力
  • 3篇振荡器
  • 3篇环形振荡器
  • 2篇电路测试
  • 2篇电路可靠性
  • 2篇动态应力
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇振荡频率
  • 2篇热电子
  • 2篇集成电路测试
  • 2篇集成电路可靠...
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇振荡器电路

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇彭嘉
  • 4篇黄大鸣
  • 4篇李名复

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种集成电路应力退化的多功能测试电路和测试方法
本发明属于集成电路可靠性测试技术领域，具体涉及一种集成电路应力退化的多功能测试电路和测试方法。测试电路的核心部分以环形振荡器为基础，增加若干辅助晶体管、开关晶体管和控制端。应用本发明的电路和方法，可以分别对环振反相器中的...
黄大鸣彭嘉李名复
一种集成电路应力退化的多功能测试电路和测试方法
本发明属于集成电路可靠性测试技术领域，具体涉及一种集成电路应力退化的多功能测试电路和测试方法。测试电路的核心部分以环形振荡器为基础，增加若干辅助晶体管、开关晶体管和控制端。应用本发明的电路和方法，可以分别对环振反相器中的...
黄大鸣彭嘉李名复
文献传递
一种集成电路可靠性测试电路与测试方法
本发明属于集成电路测试技术领域，具体涉及一种集成电路可靠性测试电路和方法。测试电路的核心电路，是在RO的每两级反相器之间，在高电位Vdd和低电位Vss之间接入辅助的pMOSFETs和nMOSFETs，在输入输出连线上插入...
彭嘉黄大鸣李名复
基于65纳米工艺的MOS器件和环形振荡器电路的应力退化特性
随着集成电路持续不断地向着小型化、高集成度发展，pMOS器件的NBTI(Negative Bias Temperature Instability)和nMOS器件的HCI(Hot Carrier Injection)效应...
彭嘉
关键词：负偏压温度不稳定性热载流子注入环形振荡器
文献传递
一种集成电路可靠性测试电路与测试方法
本发明属于集成电路测试技术领域，具体涉及一种集成电路可靠性测试电路和方法。测试电路的核心电路，是在RO的每两级反相器之间，在高电位Vdd和低电位Vss之间接入辅助的pMOSFETs和nMOSFETs，在输入输出连线上插入...
彭嘉黄大鸣李名复
文献传递
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