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张立锋

作品数:12 被引量:35H指数:5
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 5篇互连
  • 4篇电镀
  • 4篇铜互连
  • 4篇脉冲电镀
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇电阻率
  • 2篇射线衍射
  • 2篇铜互连线
  • 2篇介质
  • 2篇互连线
  • 2篇复合介质
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇粗糙度
  • 1篇等离子体
  • 1篇电沉积
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电压

机构

  • 12篇复旦大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇罗门哈斯电子...

作者

  • 12篇张立锋
  • 6篇张卫
  • 6篇徐赛生
  • 5篇汪礼康
  • 4篇曾磊
  • 2篇柴洪峰
  • 1篇丁士进
  • 1篇李银胜
  • 1篇陈敏娜
  • 1篇张炜
  • 1篇王涛
  • 1篇周翔
  • 1篇顾晓清
  • 1篇周璇
  • 1篇高岩
  • 1篇刘森
  • 1篇张玮

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇实验室科学

年份

  • 3篇2025
  • 1篇2020
  • 2篇2013
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于知识库的大语言模型智能客服系统及其实现方法
本发明提供了一种基于知识库的大语言模型智能客服系统及其实现方法,属于大语言模型及数据处理技术领域。本发明部署接入新的ElasticSearch全文检索数据库代替Langchain中默认的Faiss向量库作为新知识存储库,...
张立锋周璇高岩周翔黄春明孙毓王涛
基于高K复合介质的高密度MIM电容研究
随着集成电路的飞速发展,传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问题已经无法满足下一代射频和模拟/混合信号集成电路的要求。因此,新型的金属-绝缘体-金...
张立锋
关键词:氧化铪氧化硅
文献传递
有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响被引量:5
2007年
针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制。采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对脉冲电镀铜的镀层结构形貌的影响。研究发现,适当浓度的添加剂组成能显著改善镀层的覆盖度、紧致均匀性和平整性。
陈敏娜曾磊汪礼康张卫徐赛生张立锋
关键词:铜互连脉冲电镀粗糙度极化
利用混合生成式对抗网络的流水数据生成方法
本发明提供一种利用混合生成式对抗网络的流水数据生成方法,对原始交易流水数据中的重复交易进行了聚合并将其结构化,生成原始交易网络图,将其用于图生成模块的训练,因此图生成模块能够学习到真实交易网络结构中的拓扑结构特征,生成接...
叶广楠张立锋崔毅浩刘森柴洪峰
中国企业危机管理研究初探
张立锋
关键词:危机管理信用危机忧患意识企业文化
基于高Κ复合介质的高密度MIM电容研究
随着集成电路的飞速发展,传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问题已经无法满足下一代射频和模拟/混合信号集成电路的要求。因此,新型的金属-绝缘体-金...
张立锋
关键词:电容器介电常数电压系数
文献传递
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较被引量:5
2008年
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
徐赛生曾磊张立锋张卫汪礼康
关键词:CU互连脉冲电镀直流电镀
脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量:7
2007年
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%~60%之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。
徐赛生曾磊张立锋张炜张卫汪礼康
关键词:铜互连脉冲电镀电阻率晶粒尺寸表面粗糙度
高端集成电路工艺实验室管理探究被引量:2
2020年
随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研究高端集成电路工艺实验室的管理问题。为国内兄弟院校在管理集成电路实验室方面提供参考。
张立锋徐赛生王凡丁士进张卫
关键词:集成电路
集成电路铜互连线脉冲电镀研究被引量:10
2006年
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2~4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
曾磊徐赛生张立锋张玮张卫汪礼康
关键词:铜互连脉冲电镀电阻率X射线衍射
共2页<12>
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