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傅义珠

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇晶体管
  • 6篇微波功率晶体...
  • 6篇微波性能
  • 6篇功率晶体管
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇芯片
  • 4篇发射区
  • 3篇半导体
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇点接触
  • 2篇电流集边效应
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇亚微米
  • 2篇栅结构

机构

  • 15篇中国电子科技...

作者

  • 15篇傅义珠
  • 2篇刘洪军
  • 2篇盛国兴
  • 2篇王佃利

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构
本发明是微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构，其结构是有源区分为两个近邻的区域，发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出，两个有源区共用一个镇流电阻。优点：将有源区分为两个近邻的区域，将发射...
傅义珠
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一种平面化厚隔离介质形成方法
本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化...
傅义珠盛国兴王佃利刘洪军
改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法
本发明是一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构及方法，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层...
傅义珠
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一种自对准亚微米栅结构及其制作方法
本发明公开了一种自对准亚微米栅结构和制作方法。其特点是采用多晶硅侧墙制作亚微米栅，并通过金属硅化物将其与微米级多晶硅栅帽子和金属栅实现互连。本发明的有益效果：本发明采用多晶硅侧墙制作亚微米栅，并通过金属硅化物将其与微米级...
傅义珠
一种平面化厚隔离介质形成方法
本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化...
傅义珠盛国兴王佃利刘洪军
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减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法
本发明是减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法，其结构是在延伸电极和键合区下方制作一个与MOS电容串联的PN结电容。制作方法是在硅衬底上外延n型硅外延层；对裸露的硅外延表面进行离子注入掺杂；在通氧气条件下，生成氧化层；光...
傅义珠
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一种自对准亚微米栅结构及其制作方法
本发明公开了一种自对准亚微米栅结构和实现方法。其特点是采用多晶硅侧墙制作亚微米栅，并通过金属硅化物将其与微米级多晶硅栅帽子和金属栅实现互连。本发明的有益效果：本发明采用多晶硅侧墙制作亚微米栅，并通过金属硅化物将其与微米级...
傅义珠
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一种半导体器件散热结构
本发明公开了一种半导体器件散热结构，采用水冷却方式，将冷却水直接引入到半导体器件外壳，与其直接接触，形成循环水回路。其有益效果是：减小器件与散热器之间的接触热阻，提高散热效率，缩小散热器的面积和体积，改善器件散热的一致性...
傅义珠
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半导体平台工艺
半导体平台工艺技术是一种特别适用于微波功率半导体二极管和三极管研制生产的工艺技术，该平台工艺技术将平面工艺和台面工艺两者的优点结合起来，在PN结的边缘扩散一个较深的结，以使PN结本身具备尽可能高的击穿电压。在该结外侧耗尽...
傅义珠
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一种点接触LDMOS结构晶体管单元
本发明公开了一种点接触LDMOS结构晶体管单元。其结构是漏接触区为圆形或正多边形，位于晶体管单元中心，外围依次环绕着漂移区、栅沟道区和源区。晶体管单元中栅宽与漏源PN结面积比比常规LDMOS结构提高一倍；晶体管单元分别按...
傅义珠
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