粟雅娟
- 作品数：78 被引量：27H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 一种参数处理方法、装置、设备、存储介质和程序产品
- 本公开提供了一种参数处理方法，可以应用于高分辨成像系统技术领域。该参数处理方法包括：将与光刻系统对应的K组像差信息输入光刻质量预测模型，输出K个光刻质量预测结果；根据K个光刻质量预测结果，从K组像差信息中确定N组目标像差...
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- 微纳机电开关研究现状被引量：1
- 2015年
- 微纳机电开关是指特征尺寸在微米或纳米量级内的机械开关,是一个新兴的技术领域,具有体积小、速度快、零泄漏等优势,成为近年来的研究热点。首先介绍了微纳机电开关在射频器件和逻辑电路中的应用,并概述了其分类方式及各自特点。同时系统综述了微纳机电开关的研究现状,包括在尺寸、阈值电压、稳定性、材料等方面取得的突破。最后,论述了微纳机电开关的发展趋势,阐述了其面临的问题和发展障碍,如微纳尺寸下的表面粘附效应、现有工艺技术的实现等。
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- 关键词：零泄漏射频器件逻辑电路粘附力
- 基于模型的光学邻近效应修正应用技术(特邀)
- 2025年
- 基于模型的光学邻近效应修正是半导体制造中的关键技术,通过调整掩模图形来补偿光学邻近效应引起的图形失真,从而提高光刻精度。随着技术节点的演进,线边缘粗糙度成为影响器件性能和可靠性的重大挑战,需要更精确的光刻胶模型来预测和控制线边缘粗糙度。设计-工艺协同优化则通过在设计和制造过程中整合优化策略,解决了与缩小特征尺寸相关的多方面挑战,推动了掩模可制造性、光刻性能的提升。将描述光学临近效应物理现象的数学模型和新兴的机器学习算法相结合,有望进一步推动半导体技术的发展。
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- 关键词：光刻线边缘粗糙度
- 一种等离子体光刻掩模优化方法、装置、设备和介质
- 本申请提供一种等离子体光刻掩模优化方法、装置、设备和介质，S1，获取等离子体光刻成像模型，S2，通过等离子体光刻成像模型进行成像计算，得到目标掩模图案在光刻胶层中的空间像光强分布；S3，基于空间像光强分布和光刻胶层的光刻...
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- 一种具有自对准效应的自激发光刻方法
- 本发明提供了一种具有自对准效应的自激发光刻方法，涉及半导体工艺技术领域。在第一次光刻处理时使用第一掩模版仅仅是为了定义出第二次光刻处理时的有效光刻区域，因此第一掩模版可以使用尺寸较大的掩模版，极大程度的降低了第一掩模版的...
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- 一种金属栅温度测量方法
- 本发明公开了一种金属栅温度测量方法，包括如下步骤：构建测量结构；其中，测量结构包括金属栅，与金属栅连接的掺杂鳍，以及与掺杂鳍一端连接的参考金属线；测量参考金属线的电阻值，并根据电阻值获得参考金属线的温度值；测量金属栅和掺...
- 杨双韦亚一粟雅娟
- 文献传递
- 一种标准单元库的优化方法及系统
- 本发明提供一种标准单元库的优化方法，在进行电路级别的光学仿真之前，先进行标准单元的版图布局，进而进行单一标准单元版图的光学仿真，这样，可以对标准单元先进行光学仿真的优化，减少了后续优化和流片的次数，大大提高了设计效率，降...
- 韦亚一赵利俊粟雅娟
- 文献传递
- 一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质
- 本发明公开了一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质，方法包括：在目标版图上搜索出多个目标区域，在每个所述目标区域处均设置采样点；根据采样点，对所述目标版图进行切片，提取出多个切片图形；将每个切片图形均划分为网格状，并...
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- 文献传递
- 一种内建自测试装置及一种使用片上系统进行测试的系统
- 本实用新型公开了一种内建自测试装置及一种使用片上系统进行测试的系统可以独立于IP核之外，适用于多个IP，包括：测试图形发生器、存储器、控制器和测试响应压缩器，存储器存储参考特征向量及随机种子；测试图形发生器根据输入的测试...
- 粟雅娟陈岚
- 文献传递
- 一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质
- 本申请提供一种表面等离子体光刻成像结构、方法及计算机可读介质，包括：反射层、光刻胶、第一谐振腔结构和掩模层；反射层设置在待刻蚀结构一侧，光刻胶设置在反射层远离待刻蚀结构的一侧，第一谐振腔结构设置在光刻胶远离待刻蚀结构的一...
- 芮定海张利斌韦亚一粟雅娟
