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潘佩聪

作品数:25 被引量:11H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 20篇理学
  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 16篇晶体
  • 10篇CR
  • 8篇晶体生长
  • 7篇MG_2SI
  • 5篇提拉法
  • 4篇温度场
  • 4篇离子
  • 4篇激光
  • 4篇硅酸镁
  • 3篇中铬
  • 3篇橄榄石
  • 3篇光谱
  • 3篇分凝系数
  • 3篇SIO
  • 3篇
  • 2篇调谐
  • 2篇络离子
  • 2篇镁橄榄石
  • 2篇可调
  • 2篇可调谐

机构

  • 21篇中国科学院上...
  • 6篇中国科学院
  • 5篇华东师范大学
  • 4篇同济大学
  • 2篇上海机械学院
  • 2篇上海大学
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 25篇潘佩聪
  • 12篇邓佩珍
  • 11篇颜声辉
  • 7篇朱洪滨
  • 5篇林远齐
  • 5篇杨宝成
  • 4篇卢志英
  • 4篇柴耀
  • 4篇侯印春
  • 4篇干福熹
  • 3篇祝生祥
  • 3篇胡兵
  • 3篇王四亭
  • 2篇夏海平
  • 2篇马笑山
  • 1篇褚春霖
  • 1篇李瑞华
  • 1篇林平
  • 1篇葛亮
  • 1篇吉昂

传媒

  • 10篇人工晶体学报
  • 6篇中国激光
  • 3篇硅酸盐学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇上海硅酸盐

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 7篇1992
  • 12篇1991
  • 2篇1990
  • 2篇1989
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
镁橄榄石晶体的缺陷
1991年
为了显示Mg_(2)SiO_(4)晶体的缺陷分布,我们试验了不同的腐蚀剂,结果发现NaOH是一种较为理想的腐蚀剂,在一定条件下,它能清晰地显示出位错的形态与分布。同时,由位错蚀斑的形状还发现,晶体中主要存在两种类型的位错,一类蚀斑呈方形,另一类呈三角形。这两种类形的位错主要分布于晶体的边缘部分。在晶体的中间部位主要缺陷则是夹杂物。
胡兵潘佩聪邓佩珍
关键词:镁橄榄石NAOH位错晶体
Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)^(4-)的自旋极化MS-X_α计算
1991年
本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)^(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。
祝生祥杨宝成林远齐祝继康潘佩聪邓佩珍颜声辉
关键词:自旋极化
感应加热温场上移法—一种新的梯度法晶体生长技术
1991年
介绍了一种新的温度梯度法晶体生长技术,称为“感应加热温场上移法”(induction heatingand thermal field up-shift method,ITUM),该法是用钼坩埚在氢气气氛下直接感应加热,使其中的原料熔化。保持坩埚不动,通过线圈的上移,实现熔体的凝固结晶。已用这种方法成功地长出光学质量良好的掺钛氧化铝可调谐激光晶体。本文介绍这种方法的工艺装置和生长过程,给出初步的激光实验和晶体质量的检测数据:对于从熔体中生长高温晶体具有重要的意义。
柴耀颜声辉潘佩聪邓佩珍
关键词:激光晶体晶体生长
Mg_SiO_4:Cr^(3+)晶体的生长习性被引量:1
1991年
分别沿a、b、c轴三种取向,用提拉法生长了Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体;用X射线和光学方法测定了各个显露面,确定其密勒指数。利用修改的Hartman理论,计算了几个重要显露面的吸附能。根据吸附能大小判断了显露面的顺序,理论结果与实验结果相符。
夏海平潘佩聪胡兵邓佩珍
关键词:硅酸镁晶体吸附能
引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量:1
1991年
用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。
朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂
关键词:提拉法
晶体生长中的温度场问题
潘佩聪
关键词:晶体生长温度场
镁橄榄石可调谐激光的研究被引量:3
1993年
本文报道了室温下镁橄榄石可调谐激光的实验结果。采用调QNd∶YAG脉冲激光作为泵浦源,可调谐波长范围为1.167μm到1.332μm。输出能量为11.5mJ,转换效率为16%。倍频后,获得从0.584μm到0.666μm的倍频激光输出。
丘治刘晔褚春霖李庆国潘佩聪朱洪斌
关键词:晶体可调谐激光器镁橄榄石
影响晶体提拉法生长实验的传热学参数
1992年
潘佩聪颜声辉
关键词:晶体生长传热学
坩埚热导率——一个被忽视的参数
1991年
我们在梯度法晶体生长的具体实践中,发现晶体生长成功与否,带有较大的偶然性,这说明晶体生长过程中还有许多参数没有被考虑进去。我们估计,坩埚导热率就是这样一个参数。本文采用自己设计建立的有限元法温度场计算系统,对梯度法晶体生长中坩埚导热率参数进行了一定的计算研究,得出了一些新的结果;坩埚热导率对晶体生长温度场有重要影响,当坩埚热导率大于晶体材料热导率时,生长区域的纵向温梯很快地减小,反之,温梯受影响很小;坩埚热导率对温场的影响作用与坩埚的外部热场耦合条件有密切关系,当坩埚侧面是第一类边界条件时,坩埚热导率对生长区域的温场影响最小,在实际晶体生长中,最好使用热导率较小的坩埚材料(相对于晶体材料),以避免生长区域温梯的减小。
潘佩聪干福熹
关键词:晶体生长温度场偶然性
静态温梯法中纵向温度分布对固液界面形状的影响被引量:1
1992年
本文证明了静态温梯法中坩埚侧壁处的纵向温度分布 T_(?)(z)的函数形式,对坩埚中固液等温面的凸度有着重要影响作用。指出通过温度场“调零”过程后,利用(?)~2T_(?)(z)/(?)z^2的符号和大小来判断坩埚中固液面凸度分布情况。并且认为在实际工作中T_(?)(z)可以用热电偶在坩埚外壁处测量而得到。
潘佩聪卢志英颜声辉邓佩珍干福熹
关键词:温梯法等温线固液界面凸度
共3页<123>
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