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李博

作品数：275 被引量：38H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 242篇专利
  • 33篇期刊文章

领域

  • 85篇电子电信
  • 34篇自动化与计算...
  • 9篇电气工程
  • 5篇文化科学
  • 5篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇核科学技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 63篇电路
  • 34篇半导体
  • 27篇单粒子
  • 25篇集成电路
  • 22篇总剂量
  • 21篇SRAM
  • 20篇晶体管
  • 16篇二次谐波
  • 16篇衬底
  • 15篇芯片
  • 15篇存储器
  • 14篇信号
  • 13篇绝缘
  • 12篇噪声
  • 12篇埋氧层
  • 12篇沟道
  • 11篇电流
  • 10篇电压
  • 7篇源极
  • 6篇压印

机构

  • 275篇中国科学院微...
  • 26篇中国科学院
  • 22篇中国科学院大...
  • 3篇北方工业大学
  • 3篇辽宁大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中国运载火箭...
  • 1篇中国科学院数...
  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇中国科学院力...
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天

作者

  • 275篇李博
  • 80篇韩郑生
  • 67篇王磊
  • 62篇罗家俊
  • 53篇赵发展
  • 46篇刘海南
  • 44篇卜建辉
  • 37篇宿晓慧
  • 31篇李多力
  • 26篇李博
  • 20篇滕瑞
  • 18篇高见头
  • 17篇刘新宇
  • 17篇蔡小五
  • 17篇毕津顺
  • 16篇张紫辰
  • 15篇周静涛
  • 15篇郑中山
  • 15篇刘焕明
  • 14篇杨成樾

传媒

  • 11篇微电子学
  • 5篇半导体技术
  • 3篇原子能科学技...
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇微处理机
  • 2篇半导体光电
  • 2篇现代应用物理
  • 1篇物理学报
  • 1篇空间科学学报
  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇电气工程与自...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 45篇2025
  • 77篇2024
  • 31篇2023
  • 42篇2022
  • 25篇2021
  • 14篇2020
  • 17篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 1篇2011
共 275 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
DC/DC变换器稳定性的分析方法
2015年
DC/DC变换器属线性混合系统一类.其稳定性分析必须考虑到它们的切换特性.本文介绍一种简单的稳定性分析方法,它可预测被控制的DC/DC变换器在参数变化条件下可能出现的不稳定性及混沌现象.由于它很容易被加入到集成电路的设计流程中,为集成DC/DC变换器设计师提供了一个有效的辅助设计工具.
林雪芳B.Allard毕津顺李博
关键词：DC/DC转换器稳定性分析
一种存内计算装置及计算方法
本发明公开一种存内计算装置及计算方法，涉及存内计算芯片设计技术领域，以解决现有技术中在同时输出信号的原信号和反向信号时需要额外配置反相器导致反向信号相对于原信号的延时以及功耗增加的问题。存内计算装置的存内计算列包括计算单...
王林飞张杰李倩刘海南李博
一种跨工艺节点抗单粒子闩锁能力预测方法、装置及设备
本发明公开一种跨工艺节点抗单粒子闩锁能力预测方法、装置及设备，涉及集成电路技术领域，以解决解决现有的单粒子闩锁能力预测模型只能针对单一工艺节点的器件进行预测的问题。方法包括获取目标工艺节点数据和待预测工艺参数组合；基于目...
朱俊彦李博陆芃李晓静高玥鹏段亚驰舒磊杨灿张栋
一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置
本发明公开了一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置，其中方法包括：构建基于nano模型的碳纳米管场效应晶体管的描述模型；描述模型为解析模型，描述模型包括带带隧穿电流模型，带带隧穿电流模型中设置有修正端口电压的基准电压，基...
卜建辉刘艺璇杨晨刘海南赵发展李博
一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质
本发明公开了一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质，包括：获取待测样品材料类型，其中，所述待测样品为半导体材料；基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度；基于二次谐波表征方法，对调整温度后的所述待测样品...
赵泓达李博王磊王然张紫辰张昆鹏罗家俊滕瑞
文献传递
一种金刚石和硅的叠层结构的制作方法
本发明公开了一种金刚石和硅的叠层结构的制作方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中通常将硅基底通过二氧化硅与金刚石键合在一起，导致在硅基底上制作的硅基半导体器件产生的热量无法及时导出，致使半导体器件由于过热引发性能降低...
要笑刚李博朱慧平刘凡宇吴宇辰
氧化镓MOSFET高压器件抗单粒子效应的加固结构
本发明公开氧化镓MOSFET高压器件抗单粒子效应的加固结构，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中在抗单粒子效应时只针对氧化镓MOSFET进行单管结构改进，导致单管成形过程中需要引入额外的复杂工艺步骤，增加工艺制造难度...
舒磊胡立滨朱慧平李博
一种用于SRAM芯片的安全系统
本发明涉及一种用于SRAM芯片的安全系统，属于SRAM存储器技术领域，解决了现有技术不能准确衡量SRAM芯片的老化程度、不能给出老化程度安全示警的问题。该系统包括：压印力度检测模块，用于启动后自动检测待测SRAM芯片的压...
李博苏泽鑫宿晓慧王磊卜建辉赵发展韩郑生
一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置
本发明涉及晶体管噪声处理技术领域，具体涉及一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置。该方法包括：利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生MOS器件的噪声；等效计算MOS器件的漏极电阻热噪声和MOS器件的沟道热噪声；...
周润发李博宿晓慧 任洪宇郑中山卜建辉赵发展
一种SRAM芯片安全性能的测试方法
本发明涉及一种SRAM芯片安全性能的测试方法，属于芯片检测技术领域，解决了现有技术评估变量过于单一、无法准确衡量老化压印的问题。该方法包括步骤：对多个待测SRAM芯片上电，并对其存储阵列的背栅电压进行初始化，获得每一SR...
李博苏泽鑫宿晓慧王磊卜建辉赵发展韩郑生
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