您的位置： 专家智库 > >

张栋梁

作品数：21 被引量：5H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：化学工程建筑科学电子电信水利工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇建筑科学
  • 1篇水利工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 14篇金刚石
  • 14篇刚石
  • 8篇单晶金刚石
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米金刚石
  • 4篇PN结
  • 3篇源极
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇欧姆接触电极
  • 3篇漏极
  • 3篇接触电极
  • 3篇共掺
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压敏
  • 2篇柔性基板
  • 2篇迁移率
  • 2篇文本数据
  • 2篇芯片
  • 2篇历史建筑

机构

  • 21篇武汉大学

作者

  • 21篇张栋梁
  • 15篇刘胜
  • 4篇李瑞
  • 3篇马刚
  • 3篇周伟
  • 3篇梁康
  • 2篇詹庆明
  • 1篇梁玉斌
  • 1篇肖映辉
  • 1篇常晓林
  • 1篇陈明文
  • 1篇周伟

传媒

  • 2篇第十八届中国...
  • 1篇水利学报

年份

  • 6篇2025
  • 12篇2024
  • 2篇2012
  • 1篇2005
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用于领域知识抽取的水害防治实体数据增强方法及系统
本发明公开一种用于领域知识抽取的水害防治实体数据增强方法及系统，方法包括：获取水害防治领域内文本数据；对获取的不同格式文本数据进行标准化处理及清洗，形成领域的原始数据集；根据领域的原始数据集，自上而下归纳领域主题概念，剖...
马刚张栋梁王旭东周伟王小毛
基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法
本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法，包括柔性基板，形成于柔性基板表面的金刚石衬底；沉积于金刚石衬底表面的AlN层；形成于金刚石衬底表面位于AlN层一端的阳极金...
刘胜殷长帅张召富郭宇铮吴改张栋梁程春敏沈威东芳孙祥
基于异质结构的金刚石基PN结及其制备方法
本发明公开了一种基于异质结构的金刚石基PN结及其制备方法，首先对异质衬底进行表面清洁处理；然后在异质衬底上制备金刚石籽晶；将异质衬底置于MPCVD腔体中，通入刻蚀气体和碳源气体，调整外延参数生长多晶金刚石，在生长多晶金刚...
刘胜沈威吴改孙祥张栋梁汪启军
希拉克时代法国外交政策的调整
本文试图探讨希拉克任总统以来对法国外交政策调整的各种动因、具体表现和由此产生的影响，认为他开创了法国外交的希拉克时代。全文除引言和结语外，共分五章。 　　引言部分主要介绍选题的原因、目前国内外相关研究的情况和本文试图解...
张栋梁
关键词：希拉克法国外交动因
文献传递
基于金刚石/氮化铝极化界面二维电子气效应的MOS-HEMT器件及其制备方法
本发明涉及集成电路制造的技术领域，具体涉及一种基于金刚石/氮化铝极化界面二维电子气效应的MOS‑HEMT器件及其制备方法，包括：形成于柔性基板的金刚石衬底；沉积于所述金刚石衬底表面的AlN层；沉积于所述AlN层表面的栅氧...
刘胜张召富郭宇铮吴改殷长帅张栋梁程春敏沈威东芳孙祥
一种金刚石高温欧姆接触电极及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种金刚石高温欧姆接触电极及其制备方法。所述金刚石高温欧姆接触电极包括基底，所述基底表面依次设有金刚石衬底、梯度化界面缓冲层、防扩散层和电极层；所述梯度化界面缓冲层包括高碳亲和性金属层及其...
东芳蒋顺勇欧阳宇航侯冬杨汪启军吕婷张栋梁肖艾迪刘胜
一种单晶金刚石压敏芯片及其制备方法和高温压力传感器
本发明涉及压力传感器的技术领域，尤其涉及一种单晶金刚石压敏芯片及其制备方法和高温压力传感器，压敏芯片包括衬底、压敏电阻、压敏薄膜、第一保护镀层和欧姆接触电极，衬底为单晶金刚石，衬底一侧开设有背腔，背腔的面积小于衬底的面积...
东芳蒋顺勇刘胜汪启军吴改沈威张栋梁
基于MPCVD工艺的N型硼-氧共掺金刚石结构及其制备方法
本发明公开了一种基于MPCVD工艺的N型硼‑氧共掺金刚石结构及其制备方法，先将经过预处理后的金刚石衬底置于MPCVD腔体中，通入刻蚀气体进行刻蚀，消除金刚石衬底表面残余污染物；然后通入碳源气体，调整微波功率和MPCVD腔...
刘胜吴改沈威孙祥汪启军张栋梁
基于MPCVD工艺的氧化镓薄膜及其制备方法
本申请提供了一种基于MPCVD工艺的氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体领域。该方法包括采用MPCVD工艺，往反应腔内通入镓源、氧源、生长气体，在反应腔内外延得到氧化镓薄膜。通过调节工艺参数得到工艺参数配方，从而使MPCV...
汪启军王志燊刘胜张召富吴改沈威孙祥张栋梁
基于异质结构的N型金刚石HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于异质结构的N型金刚石HEMT器件及其制备方法，首先准备异质衬底；然后采用MPCVD工艺，在异质衬底上外延纳米金刚石沟道层，形成所述异质外延N型纳米金刚石，此时异质衬底作为势垒层；在纳米金刚石沟道层上继...
刘胜孙祥沈威吴改张栋梁汪启军东芳梁康
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0