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张德元

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇离子注入
  • 2篇真空
  • 2篇真空炉
  • 2篇平均自由程
  • 2篇注入机
  • 2篇自由程
  • 2篇离子
  • 2篇离子源
  • 2篇离子注入机
  • 2篇工件
  • 2篇TIN膜
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇电弧离子镀
  • 1篇镀层
  • 1篇镀膜
  • 1篇真空镀膜
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇数对

机构

  • 6篇深圳国家86...
  • 2篇东北师范大学

作者

  • 6篇张德元
  • 5篇耿漫
  • 3篇费勤勇
  • 1篇唐德礼
  • 1篇康光宇
  • 1篇南骏马
  • 1篇童洪辉
  • 1篇赵和平
  • 1篇马胜利
  • 1篇刘晓波
  • 1篇沈丽如
  • 1篇陈华
  • 1篇龙发进
  • 1篇王文彬
  • 1篇徐可为
  • 1篇陈弘文
  • 1篇黄琪
  • 1篇陈庆川

传媒

  • 1篇2005’全...
  • 1篇2005’全...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 3篇2005
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
金属薄膜复合制备装置及工艺
本发明公开了一种金属薄膜复合制备装置及工艺，要解决的技术问题是在工件表面快速沉积结合力好、纯度高的金属薄膜，本发明的金属薄膜复合制备装置，镀膜室体内设有蒸发源和工件转架，镀膜室体中设有磁控溅射源，工件转架设置在磁控溅射源...
马胜歌张德元耿漫赵和平
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中频非平衡磁控溅射制备TiN膜
采用中频非平衡磁控溅射技术在奥氏体不锈钢316L基底上沉积TiN薄膜。利用X射线衍射仪、轮廓仪、扫描电子显微镜和分光光度计分别对所制备的TiN膜的相结构、粗糙度、厚度、表面形貌和颜色进行分析测试,并且与传统技术电弧离子镀...
周祎马胜歌张德元张以忱耿漫吴宇峰
关键词：TIN膜电弧离子镀
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单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺
本发明公开了一种单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺，要解决的技术问题是提高离子注入效率，本发明包括以下步骤：1、将工件装上工件架后，真空炉体内抽真空至5×10<Sup>-3</Sup>Pa以上；2、向真空炉体内充入气体...
张德元费勤勇 赵豪民耿漫 马胜歌
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渗注镀复合材料表面强化技术开发与应用
徐可为张德元马胜歌康光宇费勤勇龙发进赵豪民王文彬陈弘文童洪辉陈庆川沈丽如唐德礼刘晓波黄琪马胜利南骏马陈华
该项目列入深圳市2002年度科技计划（2002-K1-55），是国家863计划课题（编号2001AA338010）的配套项目。采用各种等离子体增强技术，在零件表面形成需要的渗、注、镀层，改善零件表面的耐磨性和耐腐蚀性。可...
关键词：
关键词：等离子体增强离子注入
工艺参数对中频非平衡磁控溅射制备TiN膜性能的影响
采用中频非平衡磁控溅射工艺,在316L不锈钢基体上制备氮化钛膜层。通过改变工作气氛、偏压模式以及溅射功率制备了一系列试样。分别利用分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和纳米力学综合测试仪等分析仪器对制备的试样进行分析...
吴宇峰马胜歌张德元张以忱耿漫周
关键词：非平衡磁控溅射氮化钛脉冲偏压
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单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺
本发明公开了一种单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺，要解决的技术问题是提高离子注入效率，本发明包括以下步骤：1.将工件装上工件架后，真空炉体内抽真空至5×10<Sup>－3</Sup>Pa以上；2.向真空炉体内充入气体...
张德元费勤勇 赵豪民耿漫 马胜歌
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