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云全新

作品数：23 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇界面态
  • 9篇锗
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇迁移
  • 7篇迁移率
  • 5篇态密度
  • 5篇界面态密度
  • 5篇沟道
  • 5篇衬底
  • 4篇淀积
  • 4篇载流子
  • 4篇湿法腐蚀
  • 4篇自对准
  • 4篇介质膜
  • 4篇薄层
  • 3篇电路
  • 3篇电路制造
  • 3篇掩膜

机构

  • 23篇北京大学

作者

  • 23篇云全新
  • 22篇黄如
  • 18篇安霞
  • 18篇张兴
  • 7篇林猛
  • 7篇黎明
  • 6篇李志强
  • 6篇艾玉杰
  • 6篇李敏
  • 5篇郭岳
  • 4篇刘朋强
  • 4篇王润声
  • 4篇范春晖
  • 4篇浦双双
  • 4篇郝志华
  • 2篇黄英龙
  • 2篇王佳鑫

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
先进Ge基MOS器件制备与表征
近50年来，半导体集成电路技术按照“摩尔定律”快速发展，器件尺寸不断缩小，芯片集成度和性能不断得到提升。然而，器件特征尺寸进入亚100nm后，由于沟道电场及与其引发的散射的不断增强，沟道载流子迁移率不断退化，器件性能受到...
云全新
关键词：MOS器件界面态
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
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一种用于集成电路制造的场区隔离方法
本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得...
黄如云全新安霞张兴
一种锗基衬底的表面钝化方法
本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片...
黄如云全新林猛李敏安霞黎明张兴
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一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与...
黄如云全新安霞艾玉杰张兴
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一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
锗基衬底表面钝化方法
本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移...
黄如林猛云全新李敏王佳鑫安霞黎明张兴
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一种用于集成电路制造的场区隔离方法
本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子及配对离子，去除注入掩膜之后，利用热退火在场区生成氧化硅隔离层。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制...
黄如云全新安霞张兴
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一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
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半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和...
安霞郭岳云全新黄如张兴
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