祝元坤
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 过滤阴极电弧制备铟掺杂氧化镉透明导电薄膜的性能研究
- 氧化镉(CdO)是一种非常重要的透明导电氧化物(TCO)材料。但CdO光学带隙较小,可见光透过率较低,这些不足严重限制了其应用范围。利用其它元素掺杂能有效地拓宽其光学带隙,并改善其导电和透光性能。然而目前对掺杂CdO薄膜...
- 祝元坤
- 关键词：透明导电氧化物光电性能
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：...
- 朱嘉琦祝元坤曹世成
- 文献传递
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法
- 一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法，涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤：...
- 朱嘉琦祝元坤曹世成
- 文献传递
- 磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性被引量：5
- 2009年
- 采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-C键的含量增加,真空退火有利于SiC的形成;在800℃空气中退火后,薄膜表面生成一层致密的SiO_2薄层,阻止了氧气与薄膜内部深层的接触,有效保护了内部的SiC,在空气条件下,SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
- 祝元坤朱嘉琦韩杰才梁军张元纯
- 关键词：无机非金属材料磁控溅射热稳定性高温退火SIC薄膜
- 磁控溅射制备SiC薄膜及其性能研究
- SiC具有耐高温、耐磨损、高辐射率、化学稳定性好等一系列优异的性能，是制备热防护系统表面涂层的首选材料。采用化学气相沉积、电子束蒸发等常用方法制备SiC薄膜，存在沉积温度过高、膜质疏松，结合力不强等缺点，因此需要一种在低...
- 祝元坤
- 关键词：碳化硅薄膜磁控溅射热防护材料表面形貌
- 文献传递
- 磁控溅射制备SiC薄膜的拉曼特性研究
- 采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,利用拉曼光谱分析了衬底温度和功率对SiC薄膜结构的影响。结果表明,薄膜中既含有晶型SiC又含有非晶型SiC,同时还含有石墨相和无定形碳。随着衬底温度的升高,SiC拉曼特征峰向低...
- 祝元坤朱嘉琦韩杰才陈娅冰
- 关键词：磁控溅射SIC薄膜拉曼光谱
- 文献传递
