王文生
- 作品数：38 被引量：115H指数：6
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- ９０年代阻容元件发展方向
- 王文生
- 关键词：电阻器电容器电位器
- InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作被引量：1
- 1999年
- 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。
- 胡明刘志刚张之圣王文生
- 关键词：INSB薄膜霍尔元件电子迁移率
- 磁阻效应及磁敏位置传感器被引量：3
- 1996年
- 本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。
- 张之圣胡明刘志刚王文生白花珍王聪修
- 关键词：磁阻效应位置传感器分辨率
- InSb磁阻元件与传感器的进展被引量：15
- 1994年
- InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。
- 王文生
- 关键词：传感器
- InSb磁敏传感器及其应用(上)被引量：1
- 1998年
- InSb是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,与其它半导体材料相比,具有较高的电子迁移率.因此,它不但适合制造霍尔器件和传感器,而且适合于制造磁敏电阻和传感器.本文简要介绍了InSb材料的特点,磁敏感效应,各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用.
- 王文生
- 关键词：锑化铟磁敏传感器
- NiCr系金属膜电阻器的电子能谱分析
- 王文生
- 关键词：金属膜电阻器电子谱法金属薄膜镀膜
- InSb磁敏电阻器的开发被引量：6
- 1990年
- InSb磁敏电阻器是利用半导体磁阻效应制成的一种磁敏元件。因为这种元件的基本结构是一种两端型结构,所以在各种应用中,特别是在电路布局中就比四端型霍尔元件有许多优越性。
- 王文生祖光裕
- 关键词：INSB磁敏电阻器电阻器
- 大容量低阻抗耐高纹波电流片式固体钽电解电容器的进展被引量：1
- 1999年
- 介绍了大容量、低阻抗、耐高纹波电流的片式固体钽电解电容器的突出特点， 列举在便携式移动电话、笔记本电脑， 开关电源的ＤＣ／ＤＣ变换器的部分应用实例。这类电容器的应用十分引人关注。
- 王文生
- 关键词：片式固体钽电容器阻抗电解电容器
- 光敏器件及其应用
- 1989年
- 光敏器件是一种应用范围相当广的敏感元件。光是既有波动性又有微粒性的一种物质。光的粒子性表现在光电效应上,当一个光子射入到半导体中时,可将它的能量转移给电子,电子吸收了光子的能量,脱离原子核的束缚而参加导电过程,如果该过程只发生在半导体的内部,则称之为内光电效应;若该过程发生在半导体的外部,则称之为外光电效应。1.内光电效应。它包括两种现象:光电导效应及光生伏特效应。在室温条件下,半导体的导带只有一部分被电子占据着。当有足够能量的光子照射到半导体上时,满带中的电子吸收了光子能量。
- 王文生
- 关键词：光敏器件光敏电阻
- InSb磁阻元件的研制
- 1992年
- 报告InSb磁阻元件的设计制造与可靠性寿命试验,其失效率λ(t)<1×10^(-5)/h。
- 张之圣王文生胡明刘志刚
- 关键词：磁阻元件磁阻效应锑化铟
