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沈辉

作品数:2 被引量:8H指数:1
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇晶界层
  • 1篇电容器材料
  • 1篇一次烧
  • 1篇一次烧成
  • 1篇烧成
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇晶界层电容器
  • 1篇高介电常数
  • 1篇SRTIO
  • 1篇SRTIO3

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇沈辉
  • 1篇宋元伟
  • 1篇奚益明
  • 1篇王评初
  • 1篇潘晓明

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料被引量:8
2002年
报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数,较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC)。材料的有效介电常数高达37×10^4,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20-150℃),频率色散较小,且制备工艺简单。
沈辉潘晓明宋元伟奚益明王评初
关键词:介电常数SRTIO3
低温一次烧结SrTiO<,3>基晶界层电容器的研究
低温一次烧结具有小晶粒的晶界层电容器是该文的主要研究目标之一.结果发现一次性添加施主添加剂Nb<,2>O<,5>和由LiF和Bi<,2>O<,3>·3TiO<,2>组成的烧结助剂,在无需煅烧合成的情况下,可以在还原气氛中...
沈辉
关键词:钛酸锶晶界层电容器一次烧成
文献传递
共1页<1>
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