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徐嘉东

作品数：23 被引量：37H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国矿业大学科技基金中国科学院院长基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术医药卫生一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 9篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇离子注入
  • 10篇半导体
  • 7篇潘宁离子源
  • 7篇离子
  • 4篇退火
  • 4篇冷阴极
  • 4篇离子源
  • 3篇导体
  • 3篇质子
  • 3篇注入机
  • 3篇离子注入机
  • 3篇半导体材料
  • 2篇低熔点
  • 2篇电池
  • 2篇电路
  • 2篇电特性
  • 2篇阴极
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇双极器件
  • 2篇铁磁

机构

  • 23篇中国科学院
  • 1篇中国矿业大学
  • 1篇北京太阳能研...

作者

  • 23篇徐嘉东
  • 22篇李建明
  • 7篇杨占坤
  • 4篇种明
  • 4篇张秀兰
  • 2篇翟永辉
  • 2篇曾一平
  • 2篇边莉
  • 2篇刘海涛
  • 2篇刘超
  • 2篇王培大
  • 2篇迟迅
  • 1篇张彦华
  • 1篇王凤莲
  • 1篇熊党生
  • 1篇高旻
  • 1篇孙莉莉
  • 1篇衡扬
  • 1篇朱建成
  • 1篇杨丽卿

传媒

  • 3篇第十一届全国...
  • 2篇微细加工技术
  • 1篇中国生物医学...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇2008年全...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇全国第十二届...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 4篇2001
  • 2篇1991
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源
本发明涉及一种用在离子注入机设备中的离子源装置，特别是一种能引出低熔点金属离子的离子源，该方法针对潘宁离子源的对阴极做了改进，改进的办法是使对阴极内部挖空，在对阴极面打一个小孔，这样对阴极就成为一个带有孔洞的圆杯状腔壳，...
徐嘉东李建明杨占坤
文献传递
改进型潘宁离子源获得难溶金属离子的研究被引量：1
1991年
本文描述了改进型潘宁离子源在活性化学反应机理作用基础上获得难熔金属离子。研究了源结构和引束上活性气体的影响,并获得有关结果。
徐嘉东商作起李建明杨占坤王培大
关键词：离子注入潘宁离子源
GaAs器件的离子注入新技术研究
1991年
本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF^+对Si^+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。
商作起徐嘉东杨占坤李建明王培大
关键词：GAAS器件离子注入半导体器件
油冷却潘宁离子源引固态离子的研究与应用
油冷却潘宁源能电离引出气态物质离子，通过改进还能电离引出固态物质元素的离子，到目前为止，引出的固态物质熔点从156℃的铟到3000℃的钽都能引出所需的离子。束流达到靶上的强度从1μA左右到几十个μA。并在LC-4型高能离...
徐嘉东李建明
关键词：离子注入
文献传递
质子轰击GaAs的X光衍射检测分析
本工作采用X光衍射方法对经质子轰击工艺的GaAs样品做了分析测试,得出了GaAs经质子轰击及随后退火工艺造成缺陷的信息情况,本工作发现多个能量的叠加质子轰击及退火能改进GaAs材料的表层质量.
李建明徐嘉东杨占坤
关键词：GAAS质子轰击
文献传递
使多个V形光伏器件组件连接的方法
本发明是一种使多个V形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个V形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而...
李建明种明徐嘉东刘海涛边莉迟迅翟永辉
文献传递
离子注入工艺中热靶的研究
介绍热靶的研制和解决热靶产生的热电子及感应电流对注入样品剂量的影响问题.
徐嘉东杨占坤李建明
关键词：离子注入工艺技术
文献传递
制造半导体双极器件的方法
本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
徐嘉东李建明张秀兰
文献传递
制造半导体双极器件的方法
本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
徐嘉东李建明张秀兰
文献传递
稀土元素离子注入法制备GaN基稀磁半导体薄膜材料的研究
采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面形貌和磁学性能进行了初步分析。结果...
刘超孙莉莉李建明徐嘉东曾一平
关键词：离子注入氮化镓稀磁半导体室温铁磁性
文献传递
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