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彭长涛

作品数:11 被引量:16H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇
  • 4篇衬底
  • 3篇液相外延
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电池
  • 2篇液相外延生长
  • 2篇色散
  • 2篇色散效应
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓衬底
  • 2篇台基
  • 2篇太阳电池
  • 2篇气相沉积
  • 2篇外延炉
  • 2篇物理气相沉积
  • 2篇溅射法
  • 2篇
  • 2篇衬底温度

机构

  • 11篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 11篇彭长涛
  • 10篇陈诺夫
  • 5篇吴金良
  • 3篇戴瑞烜
  • 2篇林兰英
  • 2篇尹志冈
  • 2篇陈晨龙
  • 2篇杨霏
  • 2篇白一鸣
  • 2篇王鹏
  • 1篇梁平
  • 1篇柯俊
  • 1篇张富强
  • 1篇张兴旺

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2001
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
红外线探测材料GaAs基InAsSb薄膜的生长和性质研究
工作在红外线大气窗口8~14微米波段的长波长红外探测器在军用和民用上都有广泛而重要的用途,如热成像、跟踪制导、遥感预警和自动控制等。这是因为在8~14微米波段大气对红外线的吸收很弱,而且常温下一般物体的对外辐射能量主要是...
彭长涛
关键词:红外探测器液相外延磁控溅射
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以砷化镓单晶片为衬底;2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb=1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料...
彭长涛陈诺夫吴金良尹志冈杨霏
文献传递
在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:用石墨或石英制成生长容器;步骤3:根据液相外延的原理,将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容...
彭长涛陈诺夫吴金良陈晨龙
文献传递
Ferromagnetic MnSb Films Consisting of Nanorods and Nanoleaves
2007年
Ferromagnetic MnSb films were synthesized on Si wafers by physical vapor deposition. X-ray diffraction revealed that the films primarily consisted of MnSb alloy. Nanorods and nanoleaves were observed in the MnSb films by field-emission scanning electron microscopy. These nanorods had an average diameter of 20nm and a length of up to hundreds of nanometers. The nanoleaves had a width and thickness of about 100 and 20nm, respectively. Magnetic hysteresis loops were measured by an alternative gradient magnetometer, and the loops showed strong geometrical anisotropy.
戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良
关键词:FERROMAGNETICMNSB
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以砷化镓单晶片为衬底;2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb=1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料...
彭长涛陈诺夫吴金良尹志冈杨霏
文献传递
在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:用石墨或石英制成生长容器;步骤3:根据液相外延的原理,将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容...
彭长涛陈诺夫吴金良陈晨龙
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非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光被引量:7
2001年
研究了热处理对非掺杂 n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系 .热处理后 ,光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明显降低 .黄光峰强度随温度升高的衰减速度要比带边峰慢得多 .由这些实验结果得出结论 :光谱中的带边峰是由自由激子和束缚在一浅施主能级的束缚激子的谱线重合而成 ,这个浅施主能级很有可能是由氮空位产生 ;黄色荧光的机制应为自由电子或施主能级向深受主能级的跃迁 ,并且黄色荧光肯定和氮化镓中的一内部缺陷产生的深受主能级有关 ,该内部缺陷很有可能是镓空位 .
彭长涛陈诺夫林兰英柯俊
关键词:氮化镓光致发光外延层半导体材料
铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
2003年
采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .
彭长涛陈诺夫张富强林兰英
关键词:物理气相沉积X射线衍射分析
色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响被引量:2
2006年
考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线,并与未考虑色散效应的情况进行了对比.计算结果表明,色散效应对双层减反射膜的反射率有较大的影响,特别是对300~500nm波长范围的影响更大,且对不同材料的减反射膜的影响也是不同的.与未考虑色散效应的情况相比,考虑色散效应后,SiO2/ZnSe双层减反射膜的最小加权平均反射率从1.14%增加到1.55%,而SiO2/ZnS双层减反射膜的最小加权平均反射率却从1.49%减小到1.46%.
白一鸣陈诺夫戴瑞烜王鹏彭长涛
关键词:色散效应GAAS太阳电池
制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法
本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,包括如下步骤:1)选择基底材料,选择锰金属和锑金属为源;2)将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉;3)抽真空,控制锰源和锑源的温度和生长时间;4)退火;5...
戴瑞烜陈诺夫彭长涛王鹏
文献传递
共2页<12>
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