您的位置: 专家智库 > >

张新

作品数:15 被引量:30H指数:4
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学农业科学更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇建筑科学
  • 1篇农业科学

主题

  • 4篇SOI
  • 3篇全耗尽
  • 3篇自加热
  • 3篇自加热效应
  • 3篇半导体
  • 3篇SOI器件
  • 2篇电路
  • 2篇农田排水
  • 2篇排水沟
  • 2篇门极
  • 2篇门极换流晶闸...
  • 2篇晶闸管
  • 2篇换流
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电极
  • 1篇电力
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...
  • 1篇电力电子

机构

  • 14篇西安理工大学

作者

  • 14篇张新
  • 11篇高勇
  • 8篇王彩琳
  • 7篇安涛
  • 6篇刘梦新
  • 3篇张磊
  • 3篇李山
  • 2篇王倩
  • 1篇马立国
  • 1篇杨媛

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇西安理工大学...
  • 2篇兵器材料科学...
  • 2篇电子器件
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇兵工学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 5篇2005
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
盐碱地蓄水结构的生态排水沟
本实用新型公开了盐碱地蓄水结构的生态排水沟,包括断面为“V”形的排水沟本体,排水沟本体上铺设有基毯层,基毯层的中部设有水生层,在水生层两侧向远离排水沟本体的方向依次设有第一耐旱层、第二耐旱层和第三耐旱层,水生层、第一耐旱...
张磊李山张新白鑫龙山彤胡家成
基于SOI材料的兵器微电子技术应用分析被引量:1
2005年
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制。而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料技术。介绍了SOI材料结构技术用于微电子器件的优势、SOI结构及基于SOI结构材料的兵器微电子技术应用,展望了SOI技术的发展前景。
张新高勇王彩琳邢昆山安涛
关键词:SOI材料SOI结构半导体集成电路
薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化被引量:4
2006年
在300~600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.
刘梦新高勇张新王彩琳杨媛
关键词:全耗尽自加热效应高温瞬态特性DSOI
收集利用道路雨水进行绿化带渗灌的排水廊道结构
本发明公开了收集利用道路雨水进行绿化带渗灌的排水廊道结构,包括设置于车行道外侧的绿化带,车行道和绿化带之间沿车行道的长度方向设置有路缘石,路缘石沿其长度方向间隔开设有若干个雨水进口构件,在地面下方位于路缘石靠近绿化带的一...
李山张新 白鑫龙张磊王倩 仵苗
农田生态排水沟
本发明公开了一种农田生态排水沟,包括农田土坡,农田土坡底部设置有储水箱,储水箱顶部铺设有过滤层,储水箱长度方向的外侧底部安装有排水管,排水管长度方向的两侧沿储水箱底部向上固定有过水管,过水管高度低于储水箱的高度,过水管的...
李山白鑫龙吴舒然张新张磊王倩
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展被引量:4
2005年
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。
王彩琳高勇张新
关键词:硅直接键合电力电子器件集成门极换流晶闸管
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究被引量:2
2006年
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时间也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求。
张新刘梦新高勇洪德杰王彩琳邢昆山
关键词:全耗尽SOICMOSLDD结构
SOI器件高温环境实验智能控制系统
2007年
本文介绍了基于总线集成控制技术设计的SOI器件高温环境实验装置的智能控制系统。该系统集信号检测、实时全程监控、自动记录及故障报警等功能于一体,完全满足SOI器件对高温环境实验的要求。实验表明,经过该系统测试后的产品性能,在可靠性、精确度和工作效率等方面,比现有人工定时定机监测方式有明显的改善和提高。
张新王峙卫高勇安涛刘梦新
关键词:SOI器件总线
基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究被引量:1
2006年
针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并从介电常数的角度较好地验证了提出观点的正确性。最后得到,高介电常数等效埋层厚度的减小利于热泄散,高热导率的埋层材料提高了导热能力,在双重因素作用下有效抑制了自加热效应。
高勇张新刘梦新安涛王彩琳邢昆山
关键词:自加热效应介电常数
SOICMOS Integrated Circuit of Laser Range Finding Working at High Temperatures
2007年
Modeling analysis of thin fully depleted SOICMOS technology has been done. Using ISETCAD software,the high temperature characteristics of an SOICMOS transistor were simulated in the temperature range of from 300 to 600K, and the whole circuit of a laser range finder was simulated with Verilog software. By wafer pro- cessing,a circuit of a laser range finder with complete function and parameters working at high temperatures has been developed. The simulated results agree with the test results. The test of the circuit function and parameters at normal and high temperature shows the realization of an SOICMOS integrated circuit with low power dissipation and high speed, which can be applied in laser range finding. By manufacturing this device, further study on high temperature characteristics of shorter channel SOICMOS integrated circuits can be conducted.
高勇张新刘梦新安涛刘善喜马立国
关键词:TRANSISTOR
共2页<12>
聚类工具0