周茂峰
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- ZnO薄膜MOCVD系统生长研究
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，其在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器、短波长激光二极管方面具有广阔的应用前景。自1997年ZnO室温受激发射现象的发现，全世...
- 周茂峰
- 关键词：氧化锌MOCVD半导体材料
- O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
- 2008年
- 讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示,随O2流量增大带内深能级发光带强度逐步增强,带边发光峰强度也有较大变化,薄膜光学质量先提高后退化。霍尔测量表明,随氧流量增大,薄膜电阻率逐渐增加。实验表明不同氧流量对MOCVD生长的ZnO薄膜多种性质都有规律性影响。
- 周茂峰顾书林朱顺明
- 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相淀积锌源
- O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
- 讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O_2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O_2流量增加...
- 周茂峰顾书林朱顺明
- 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相淀积锌源
- 文献传递
- 氧气流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
- 本文讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征手段表明:随O2流量增...
- 周茂峰顾书林朱顺明
- 关键词：氧化锌薄膜化学气相沉积法
- 文献传递
