吴爱华
- 作品数：364 被引量：159H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- 标准样板定值方法、装置、终端设备及标准样板
- 本申请适用于微电子计量技术领域，提供了一种标准样板定值方法、装置、终端设备及标准样板。该方法包括：获取制备得到的标准样板的特征图像；其中，标准样板为刻蚀有多个镂空柱状结构的晶圆，特征图像包括镂空柱状结构对应的底面图像；在...
- 张晓东赵琳韩志国李锁印 徐森锋许晓青 张家欢吴爱华
- 高精度噪声系数测量系统整体校准方法
- 本发明公开了一种高精度噪声系数测量系统整体校准方法，其在高精度噪声系数测量系统的校准中使用了无源传递标准件，并引入了低噪声放大器以辅助校准，该方法对高精度噪声系数测量系统进行整体校准，通过先后测量传递标准件与低噪声放大器...
- 吴爱华梁法国刘晨孙静孙晓颖栾鹏
- 文献传递
- 基于线距标准样片的扫描电镜校准方法探讨被引量：2
- 2021年
- 为解决微电子行业内扫描电镜的计量需求,结合现有扫描电镜的计量技术文件,研究了基于线距标准样片的扫描电镜校准方法。首先,采用半导体工艺研制了用于计量扫描电镜的线距标准样片,并对样片进行了质量参数考核。其次,分析了现有检定规程的局限性,并研究了扫描电镜放大倍数示值误差、重复性、图像线性失真度等参数的实际校准方法。最后,使用自行研制且经过溯源的线距标准样片对扫描电镜在100K倍下的示值误差进行了校准实验,结果表明:自行研制样片的指标可以达到校准电镜的要求,被校电镜的示值误差在2%的范围以内,校准方法有效。
- 赵琳张晓东李锁印韩志国吴爱华
- 关键词：扫描电镜半导体工艺校准方法
- 在片功率参数校准方法研究
- 针对在片功率参数的计量需求,本文分析了通过矢量方法修正由于微波探针和功率计引入的失配误差,并推导了相关修正公式.同时,本文对在片功率测量矢量修正中涉及的微波探针S参数提取方法做了介绍,并将提取的S参数与微波探针的出厂数据...
- 刘晨孙静梁法国吴爱华张立飞
- 关键词：校准方法
- 文献传递
- 在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备
- 本发明提供一种在片S参数测量系统串扰误差修正方法及电子设备。该方法包括：对串扰校准件仿真，得到串扰S参数；采用在片S参数测量系统测量串扰校准件，得到并联S参数；并联S参数包括串扰误差；根据串扰S参数、并联S参数以及Y参数...
- 王一帮吴爱华 徐森锋 霍晔梁法国栾鹏刘晨 李彦丽孙静
- 文献传递
- 纳米级线宽标准样片的设计与制备被引量：4
- 2021年
- 介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工艺制作了标称宽度为25nm~200nm的线宽样片。以50nm和200nm线宽为例对样片的线宽偏差、线边缘粗糙度、线宽均匀性和稳定性进行了考核。结果表明,标称值50nm~200nm的样片线宽值与设计值基本一致,线边缘粗糙度为1.9nm~2.0nm、均匀性为1.7nm~1.9nm,稳定性为0.06nm~0.6nm。
- 韩志国李锁印冯亚南赵琳吴爱华
- 关键词：电子束线边缘粗糙度均匀性稳定性
- 防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法
- 本发明涉及半导体加工工艺技术领域，尤其涉及一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法，本发明防护晶圆片刻蚀损伤的装置包括有屏蔽环以及陶瓷环，屏蔽环上表面楔面设计，降低了反射功率以及刻蚀均匀性的影响。在屏蔽环的侧面设有孔，避免晶圆...
- 吴海王峻澎吴爱华任泽生刘成群王露寒张文朋程壹涛
- 二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备
- 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管...
- 李灏翟玉卫刘岩荆晓冬丁晨吴爱华
- 可溯源的在片高值电阻测量系统及其溯源方法
- 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪...
- 郑世棋刘岩吴爱华乔玉娥翟玉卫梁法国丁晨刘霞美
- 一种像素畸变的校正方法、校正装置及终端
- 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素...
- 梁法国邹学锋刘岩郑世棋吴爱华丁晨荆晓冬
