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俞娇仙

作品数：50 被引量：112H指数：5
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：山东省教育厅科技攻关项目山东省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇化学工程
  • 10篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇氮化镓
  • 10篇光催化
  • 10篇催化
  • 9篇纳米
  • 9篇晶体
  • 8篇单晶
  • 8篇半导体
  • 8篇掺杂
  • 7篇氮化
  • 6篇氮化铝
  • 4篇溶胶
  • 4篇坩埚
  • 4篇纳米TIO
  • 4篇晶片
  • 4篇晶体生长
  • 4篇可见光
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇半导体晶体
  • 4篇TIO

机构

  • 39篇山东大学
  • 11篇山东轻工业学...

作者

  • 50篇俞娇仙
  • 37篇张雷
  • 35篇王国栋
  • 29篇徐现刚
  • 10篇刘素文
  • 10篇修志亮
  • 9篇刘光霞
  • 8篇刘磊
  • 7篇冯光建
  • 6篇李秋波
  • 4篇赵刚
  • 4篇于伟娜
  • 3篇邵慧慧
  • 2篇何京良
  • 2篇张百涛
  • 2篇许凤秀
  • 2篇胡小波
  • 2篇徐明升
  • 1篇张爽
  • 1篇崔晓鹏

传媒

  • 3篇硅酸盐通报
  • 2篇山东轻工业学...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇合成化学
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇中国粉体技术

年份

  • 4篇2025
  • 17篇2024
  • 9篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 4篇2007
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于GaN生长单晶的衬底等离子体处理方法
本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种用于GaN生长单晶的衬底等离子体处理方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上沉积一层GaN薄膜；使用浓磷酸高温腐蚀GaN薄膜，得到多孔结构的GaN表面；在GaN表面溅射一层金属掩膜，而后...
邵慧慧张爽张雷王守志俞娇仙王国栋徐现刚
一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
本发明提供一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法，包括固定加热炉和括激光器、光束整形器、振镜系统和成像设备，固定加热炉用于固定、加热待剥离样品，激光器发出的激光依次经过光束整形器、振镜系统照射到待剥离样...
张雷刘磊张百涛王国栋叶帅何京良徐明升俞娇仙王守志胡小波徐现刚
化合物半导体的微结构调控及其光催化、气敏性能的研究
材料是人类生存和生活必不可少的部分，是人类文明的物质基础和先导。半导体材料的发现与利用，使人类进入了一个全新的发展阶段。利用半导体材料制成的各种器件已经被广泛的应用于我们的日常生活中，例如手机、电脑等。半导体材料由于具有...
俞娇仙
关键词：纳米材料化合物半导体电子结构光催化剂
非金属离子掺杂TiO_2的可见光光催化性能研究被引量：3
2007年
具有廉价、环保的可见光响应光催化剂的研究开发是走向工业化的关键。非金属掺杂TiO_2是近几年发展起来的一种新型光催化剂,它可以使复合禁带宽度小于纯TiO_2的禁带宽度,使TiO_2的吸收边红移至可见光区。对可见光响应的非金属掺杂TiO_2光催化剂的研究进行了综述。
俞娇仙刘素文修志亮于伟娜冯光健
关键词：非金属掺杂可见光光催化
一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法
本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlN<Sub>x</Sub>O<Sub>1‑...
张雷 齐占国俞娇仙 王守志王国栋刘磊
一种切割不规则半导体晶体的预处理方法
本发明属于不规则多晶晶体加工技术领域，具体涉及一种切割不规则半导体晶体的预处理方法。该方法包括以下步骤：将模具加热后，用石蜡将模具内壁均匀涂覆，然后在空气中冷却至室温，石蜡完全凝固形成石蜡缓冲层；在模具内放入体块状晶锭，...
王守志 曹文豪张雷王国栋俞娇仙徐现刚
Al^(3+)/Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的制备及其光催化性能表征被引量：2
2007年
采用溶胶-凝胶法制备了掺Al3+的Bi4Ti3O12薄膜(Bi1-xAlxTi3O12)。采用分光光度法研究了薄膜对甲基橙溶液的降解,以及Al3+对薄膜的光催化效果影响。光催化结果表明,Al3+的掺杂量为2atm%时,薄膜的光催化效果最好,比未掺杂前提高57.9%,且吸收边红移量为36nm。
于伟娜刘素文修志亮俞娇仙
关键词：溶胶-凝胶法光催化BI4TI3O12
一种等离子体辅助抛光氮化镓单晶衬底的加工方法
本发明属于半导体晶体加工技术领域，具体涉及一种等离子体辅助抛光氮化镓单晶衬底的加工方法。所述方法中氮化镓单晶衬底依次经过研磨、精磨、等离子体清洗、等离子体辅助抛光技术，极大地提高GaN的加工效率，还不会产生亚表面损伤；其...
张雷李秋波王守志王国栋俞娇仙徐现刚
一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法
本发明涉及氮化铝晶体生长加工领域，具体涉及一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法。所述方法为：将作为缓冲层的中空圆柱体和AlN晶体均通过石蜡粘接到金属板上；然后向中空圆柱体内灌注胶水，使胶水完全包裹晶体；胶水凝固后，将金...
张雷曹文豪王国栋王守志俞娇仙刘光霞徐现刚
一种氮化镓单晶衬底及制备方法
本发明属于半导体生长技术领域，提出了一种氮化镓单晶衬底及制备方法。GaN单晶衬底制备方法包括以下步骤：首先保证GaN晶圆表面洁净、无杂质污染，再放置于高温管式炉中进行退火处理，得到表面具有均匀孔隙分布的多孔GaN单晶。该...
吕松阳张雷 王守志邵慧慧王国栋俞娇仙徐现刚
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