高利朋
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
- 2009年
- 硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。
- 曾凡平韩培德高利朋冉启江毛雪赵春华米艳红
- 关键词：深能级缺陷
- Si中离子注入S杂质引起的深能级研究
- 2012年
- 本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。
- 高利朋韩培德毛雪范玉杰胡少旭
- 关键词：深能级离子注入深能级瞬态谱
- 硅基近红外光电探测器结构及其制作方法
- 一种硅基近红外光电探测器结构，包括：一n型硅衬底，其上面向下开有两层台阶状的圆槽；一磷背场制作在n型硅衬底的下面；一硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内；一p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内；...
- 胡少旭韩培德李辛毅毛雪高利朋
- 文献传递
- 高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作被引量：1
- 2009年
- 在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅。采用顶层Si厚为2μm的SOI基片，通过半导体芯片制备中的光刻工艺，在脊高为935nm，波导宽度为2肛m的脊形波导上，分别制作了刻蚀深度为565nm和935nm的起伏型高阶布拉格光栅，测试表明，在1540～1640nm波长范围内，得到了大于10dB的消光比，实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果。理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数，以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗。
- 冉启江韩培德全宇军高利朋曾凡平赵春华
- 关键词：脊形波导光刻SOI
- 硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备中的应用
- 硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以在深能级之间做共有化运动,在禁带中形成杂质能带的材料特性制备杂...
- 李辛毅韩培德高利朋胡少旭范玉杰梁鹏邢宇鹏叶舟
- 关键词：晶体硅太阳电池
