郭晓光
- 作品数：62 被引量：150H指数：8
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺化学工程文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种楔角晶片的研磨装置及研磨方法
- 本发明公开了一种楔角晶片的研磨装置及研磨方法，所述装置包括抛光头、研磨垫和下盘，所述的抛光头包括旋转主轴、安装板、压力传感器、轴承、双轴倾角传感器、声发射传感器、连接板、轴承套、端盖、倾角调整单元、载物盘、传动环和滑垫。...
- 康仁科朱祥龙董志刚贾玙璠高尚郭晓光
- 一种用于精准测量单晶金刚石去除率的测量方法
- 本发明提供一种用于精准测量单晶金刚石去除率的测量方法，包括：(1)在未加工的单晶金刚石表面采用聚焦离子束制备凹槽；(2)将单晶金刚石进行清理；(3)采用3D光学表面轮廓仪测量加工前所述凹槽的高度值h1；(4)对单晶金刚石...
- 郭晓光袁菘金洙吉董志刚康仁科
- 一种在水溶液中分散性良好的复合分散型纳米氧化铝浆料及其制备方法
- 本发明涉及一种在水溶液中分散性良好的复合分散型纳米氧化铝浆料及其制备方法，复合分散型纳米氧化铝浆料，通过将纳米氧化铝粉加入到分散液中获得，所述分散液由复合型分散剂配制而成，所述复合型分散剂包括分散剂A和分散剂B，其中，分...
- 高尚康仁科郭嘉倪宋鑫董志刚郭晓光
- 金刚石化学机械抛光研究现状被引量：11
- 2020年
- 金刚石由于其独特的性质成为未来科技的重要材料,但较差的表面质量会影响其在高科技领域的应用,因此实现金刚石超精密加工是提高金刚石应用的关键。化学机械抛光(CMP)是集成电路中获得全局平坦化的一项重要工艺,能够实现金刚石的超精密加工。介绍了现有的金刚石加工方法和金刚石化学机械抛光的研究现状,并与其他的加工方法(机械抛光、摩擦化学抛光、热化学抛光等)进行了对比,其他加工方法存在加工后表面损伤严重、加工表面粗糙度无法满足需要等问题。金刚石的化学机械抛光工艺经历了由高温抛光向常温抛光的发展过程,该加工方法设备简单、成本低、抛光后的表面粗糙度(Ra)可以达到亚纳米级别。此外,金刚石的分子动力学模拟(MD)使人们从原子尺度对金刚石抛光过程中纳米粒子的相互作用和抛光机理有了深入了解。虽然金刚石化学机械抛光还存在着许多亟待解决的问题,但是其发展前景依旧十分乐观。
- 袁菘郭晓光金洙吉康仁科郭东明
- 关键词：金刚石化学机械抛光半导体平坦化超精密加工
- 金刚石晶片紫外光辅助化学机械抛光的加工装置及工艺
- 本发明提供一种金刚石晶片紫外光辅助化学机械抛光的加工装置及工艺，装置包括抛光装置、抛光液供给装置和紫外光照射装置；所述抛光盘为所述抛光盘为JGS1石英玻璃制成，所述抛光液供给装置位于所述抛光盘的上方，所述紫外光照射装置位...
- 郭晓光袁菘董志刚欧李苇康仁科
- 基于磨粒三维轨迹的钽酸锂双面研磨均匀性
- 2024年
- 为了改善钽酸锂(LiTaO_(3),LT)晶片的材料去除均匀性,提出一种考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型。根据钽酸锂晶体脆/塑性去除机理,结合研磨垫表面磨粒的分布特征,运用力平衡方程计算了研磨垫上各磨粒的切入深度与切屑截面积。通过运动学分析推导了双面研磨中磨粒运动轨迹方程,建立了考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型,并研究了齿圈与太阳轮转速比m、下研磨盘与太阳轮转速比n对材料去除均匀性的影响。最后,开展了钽酸锂晶片固结磨料双面研磨实验,测量了不同转速比m,n下晶片的总厚度变化,验证了模型。实验结果表明:材料去除均匀性受转速比m,n的影响较大,当转速比m,n分别为0.85,1.3时材料去除均匀性最佳,此时晶片的总厚度变化为0.83μm,实验结果与仿真一致。所建模型对改善钽酸锂晶片双面研磨材料的去除均匀性有一定的指导意义。
- 薛赛赛郭晓光贾玙璠高尚康仁科
- 光滑粒子流体动力学方法模拟石英玻璃超精密切削过程被引量：2
- 2016年
- 应用无网格光滑粒子流体动力学（SPH）方法,建立了石英玻璃SPH模型,模拟了石英玻璃超精密切削过程,分析了0.1~1.0μm多组切削深度下材料去除模式和应变分布情况,以及不同刀具前角时切削过程中裂纹形成机理及其对超精密加工过程的影响。仿真结果表明：石英玻璃能在微纳尺度上实现塑性域去除。通过研究微裂纹与塑性应变的关系发现：在前角为0°、切削速度10 m/s、刀具钝圆半径0.1μm的仿真条件下,石英玻璃塑脆转变临界切削深度是0.18μm;刀具负前角切削可以得到更好的表面加工质量,说明负前角切削更适合石英玻璃超精密加工。金刚石飞切实验数据验证了SPH仿真结果的合理性。
- 郭晓光郑桂林康仁科金洙吉郭东明
- 关键词：石英玻璃光滑粒子流体动力学仿真超精密加工
- 一种光催化辅助的喷雾抛光头
- 本发明公开了一种光催化辅助的喷雾抛光头，包括用于输送抛光喷雾和提供扭矩的中心轴、用于喷雾同轴转换的气液同轴输运组件、用于连接紫外光源的电滑环、用于工件抛光的抛光盘组件，气液同轴输运组件由中心轴上的轴肩定位安装，其下方安装...
- 王宣平于洋唐睦郭晓光
- PSD法在超精密加工质量评价中的应用被引量：2
- 2018年
- 功率谱密度法(Power Spectral Density,PSD)从物理意义上来讲就是单位频率内的信号能量,用于描述随机过程的功率与频率之间的关系。PSD法可以用于分析超精密加工表面的形貌特征,也可以分析不同频率在表面形貌中的分布,从而评价加工工艺对超精密加工表面质量的影响。利用一维PSD的方法,评价了磨削硅片、抛光硅片、抛光铜片表面的质量,通过结果分析可知,与表面粗糙度方法相比,PSD方法可以更全面地评价被加工工件的表面质量。因此,需要在实验室教学过程中引导学生关注功率谱密度分析方法,建立功率谱密度函数与超精密加工表面质量之间的关系。
- 闫英周平郭晓光王一奇白倩司立坤
- 关键词：功率谱密度超精密加工表面形貌
- 单颗金刚石磨粒划擦反应烧结碳化硅复合材料的实验及仿真
- 2025年
- 反应烧结碳化硅(RB-SiC)复合材料具有比刚度高、硬度高、耐腐蚀和耐磨损等优异性能,被广泛用于航空航天等领域,然而其较高的硬度和脆性等导致使用传统加工方式时易出现较多缺陷。为探究RB-SiC复合材料磨削加工时的材料去除机理及表面损伤成因,开展单颗金刚石磨粒压头划擦实验,同时以连续分布的Si为基体,以呈颗粒或粉末状分布的SiC相为增强相,构建新的RB-SiC复合材料有限元仿真模型,并利用ABAQUS有限元仿真软件进行划擦仿真,研究复合材料表面的裂纹形成及材料去除机理,掌握划擦过程中压头−颗粒相互作用导致的切削力变化规律。结果表明,划擦实验与模型仿真结果吻合情况较好。随着切削深度增加,切削力逐渐增大,划痕路径上的破碎范围变大,材料表面形貌变差;当切削深度大于塑脆转变深度时,材料以脆性去除为主,划擦产生的应力向前传递,产生沿晶和穿晶裂纹;且划擦产生的应力大于SiC颗粒断裂应力,使SiC颗粒破碎去除,而基体则塑性去除;SiC颗粒与金刚石磨粒尖端的轨迹相对位置及SiC颗粒间距会导致划擦力变化,位于金刚石磨粒尖端移动轨迹上的SiC颗粒会导致划擦力上升,SiC颗粒间距过近时则划擦力会突升并在后方SiC颗粒破碎后骤降。
- 张德涵丁康蔡昕彤杨峰董志刚鲍岩郭晓光康仁科
- 关键词：有限元仿真
