郑齐文
- 作品数：70 被引量：57H指数：4
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统
- 本发明涉及一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统，该系统是由辐照电路模块、激励输出模块、数据处理模块、错误显示模块、写读控制模块、下载配置模块、精准电源和铅屏蔽室组成，本发明采用闪存作为数据载体，以现场可编程门阵列作为控制...
- 余学峰丛忠超郭旗崔江维郑齐文孙静周航汪波
- 文献传递
- 超深亚微米CMOS场效应晶体管剂量率效应数值模拟
- 郑齐文崔江维魏莹于钢余学峰陆妩何承发郭旗
- 一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法
- 本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致...
- 崔江维 李潇郑齐文李豫东郭旗
- 一种用于绝缘体上硅工艺场效应晶体管电离辐射损伤的表征测试方法
- 本发明涉及一种用于绝缘体上硅工艺场效应晶体管电离辐射损伤的表征测试方法，属于半导体器件辐射损伤定量测试技术领域，解决绝缘体上硅工艺器件总剂量辐射前后复合电流峰值测量不准确的技术问题，其方法包括正栅及背栅转移特性曲线测试、...
- 郑齐文 杨宏毅崔江维李豫东郭旗
- 沟道宽度对H栅DSOI NMOSFET电离总剂量效应影响
- 2025年
- 针对H栅结构双埋氧层绝缘体上硅(Double Silicon-On-Insulator,DSOI)NMOS器件,观察到不同沟道宽度下的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)响应存在差异,宽沟道器件在电参数的退化上更加显著,对亚阈值分离技术与直流电流电压技术提取出的陷阱电荷密度进行研究,结果表明,沟道宽度与氧化物陷阱电荷密度具有正相关的趋势,界面陷阱电荷密度则随沟道宽度增大而减小,TG偏置下不同沟道宽度器件中的电场差异是导致辐射诱导氧化物陷阱电荷密度不同的主要原因,并且氧化物陷阱电荷的积聚形成的静电势垒会影响界面陷阱电荷产生。
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- 关键词：DSOI陷阱电荷
- 硅基N沟道VDMOS不同偏置下总剂量效应研究
- 2023年
- 通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 V时,器件的电学特性随累积剂量的增大而退化明显。通过退火试验发现,相比于导通电阻和正向压降,阈值电压、漏电流、亚阈值摆幅和输出电容对于总剂量辐射更加敏感。而在低频噪声特性方面,辐照后器件的沟道电流归一化噪声功率谱密度与正栅极偏置呈现正相关性,与负栅极偏置呈现负相关性。在不同漏极偏置条件下,辐照后器件的沟道电流归一化噪声功率谱密度降低,且基本重合。依据噪声模型,认为N沟道VDMOS内部局域电场分布对辐射感生陷阱电荷的形成影响显著,导致器件Si/SiO_(2)界面或者附近的载流子与陷阱交换引起的沟道电流波动不同,成为低频噪声主要来源。研究结果可为N沟道VDMOS器件的辐射效应评估、筛选和抗辐射加固设计提供参考。
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- 关键词：总剂量效应电学特性
- 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法
- 本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6‑T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET...
- 郑齐文崔江维余学峰陆妩孙静李豫东郭旗
- 文献传递
- 一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法
- 本发明提供一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法，主要解决现有的预估方法可能高估器件的抗辐射能力，而导致同批次内器件存在应用风险的技术问题。该方法包括以下步骤：准备样品；辐照前参数测试；挑选试验样品；总剂量...
- 崔江维郑齐文李小龙李豫东郭旗
- 一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法
- 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率...
- 李小龙王信 刘默寒于新郑齐文孙静李豫东郭旗陆妩
- 不同工艺尺寸静态随机存储器总剂量辐射损伤特征研究
- 通过分析器件功能失效与静态功耗电流上升的关系,结合加入辐射影响因素的HSPICE电路仿真,研究了不同工艺尺寸静态随机存储器(SRAM)的总剂量辐射损伤特征及机制.研究结果表明:微米工艺器件在较小静态功耗电流上升时存储单元...
- 郑齐文余学峰崔江维郭旗任迪远周航
- 关键词：存储器超深亚微米工艺总剂量效应
