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赵海龙

作品数:5 被引量:20H指数:4
供职机构:西北工业大学更多>>
发文基金:中国航空科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 4篇射频磁控
  • 4篇射频磁控溅射
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石薄膜
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 2篇GAP
  • 1篇增透
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇碳膜
  • 1篇人工神经
  • 1篇人工神经网络
  • 1篇网络
  • 1篇响应面
  • 1篇响应面法

机构

  • 5篇西北工业大学

作者

  • 5篇赵海龙
  • 3篇刘正堂
  • 3篇李阳平
  • 2篇闫锋
  • 1篇刘文婷
  • 1篇田浩
  • 1篇李强

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇机械科学与技...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
射频磁控溅射法制备类金刚石薄膜的研究
类金刚石碳(DLC)膜,具有高硬度、高耐磨性、低摩擦系数、高热导率、高红外透过率、高化学稳定性等一系列与金刚石膜相似的优异性能。与金刚石膜相比,其具有沉积温度低、沉积面积大、膜面平整光滑、成本低等优点,是一种优良的红外增...
赵海龙
关键词:类金刚石碳膜膜系设计射频磁控溅射
文献传递
ZnS衬底上GeC/GaP增透保护膜系的制备及红外光学性质被引量:6
2006年
把GeC/GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8~11.5μm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法,以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶制备了GaP薄膜;用射频磁控反应溅射法在高纯Ar和CH4的混合气体中,以单晶Ge圆片为靶制备了GeC薄膜。分别用柯西(Cauchy)公式和乌尔巴赫(Urbach)公式表示折射率和吸收系数,对薄膜的红外透射率曲线进行最小二乘法拟合,得到了它们的厚度及折射率、吸收系数等光学常数。GaP膜的折射率与块体材料的相近,在波长10μm处约为2.9;GeC膜的折射率较小,在波长10μm处约为1.78。用所得到的薄膜折射率,通过计算机膜系自动设计软件在ZnS衬底上设计并制备出了GeC/GaP双层增透保护膜系,当GaP膜厚较大时,由于吸收增大膜系增透效果较差;当GaP膜厚较小时,膜系有较好的增透效果。
李阳平刘正堂赵海龙李强
关键词:薄膜光学射频磁控溅射磷化镓
GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟被引量:5
2007年
以GaP为靶材采用射频磁控溅射法制备GaP红外光学薄膜,通过保持ArⅠ750nm发射光谱线强度不变获得了不同工艺参数,并对沉积过程进行了计算机模拟.功率较小、气压较大时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均较小,Ga的溅射率及输运效率均大于P的,使薄膜沉积速率较低、薄膜中Ga的含量大于P的,GaP薄膜产生较大吸收.功率较大、气压较小时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均增大,Ga的溅射率大于P的、但其输运效率小于P的,使GaP薄膜的沉积速率增大、薄膜中Ga与P的含量接近化学计量比,GaP薄膜的吸收降低,因此有利于制备厚度较大的GaP薄膜.
李阳平刘正堂赵海龙刘文婷闫锋
关键词:GAP射频磁控溅射计算机模拟
射频磁控溅射法制备类金刚石薄膜的研究被引量:6
2007年
采用射频磁控溅射法,纯Ar溅射石墨靶,制备出了类金刚石薄膜,并对薄膜沉积速率随各工艺参数的变化规律、薄膜结构以及光学性能进行了系统的研究。结果表明,沉积速率随射频功率、CH4流量和溅射气压的增大而增大;随温度的增大呈现先增大后小的趋势。结构分析发现,所制备的DLC薄膜是由sp2键镶嵌在sp3键基体中构成的。在3μm^5μm波段对Si衬底有明显的增透效果。
赵海龙刘正堂田浩李阳平闫锋
关键词:射频磁控溅射类金刚石薄膜增透
可靠性和可靠性灵敏度分析的函数替代方法研究及应用
函数替代方法是可靠性和可靠性灵敏度分析方法的重要组成部分,在可靠性研究领域有着极其广泛地应用。代理模型的运用在一定程度上实现了计算效率与计算精度的权衡。本文在概率可靠性的研究范畴内,分别结合人工神经网络、Kriging模...
赵海龙
关键词:分布函数响应面法人工神经网络
文献传递
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