谷智
- 作品数：37 被引量：64H指数：4
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学化学工程更多>>
- 高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试
- 2003年
- 通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶质量良好 ,位错密度低 ,成分均匀 ,杂质含量低 ,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值 .并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度 ,分析了生长高性能晶体的条件 。
- 李国强谷智介万奇
- 关键词：布里奇曼法电阻率红外透过率
- Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析
- 2001年
- 采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0
- 常永勤谷智郭喜平介万奇
- 关键词：BRIDGMAN法微裂纹位错晶体生长
- 生长碲锰汞晶体的方法
- 本发明公开了一种生长碲锰汞晶体的方法，该方法首先根据公式(1)、(2)和具体晶体生长工艺参数和给定晶体生长速度u，计算抽拉速度V与固相长度z的关系，绘出V～z/L关系图；根据V～z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度...
- 介万奇谷智李国强华慧
- 文献传递
- 气相生长ZnSe:Cr2+晶体及其性能研究
- 族金属(TM,Transition Metal)掺杂的II-VI 化合物半导体在2～3μm 波段展现出较佳的中红外发光性能,Cr2+离子掺杂的硒化锌(ZnSe:Cr2+)就是其中引人瞩目的材料,在气体检测、大气遥感、激光...
- 刘长友介万奇王涛查钢强谷智孙晓燕
- “材料科学基础”知识可视化教学与量化评价
- 2025年
- 在教育数字化转型背景下,“材料科学基础”课程广泛采用线上线下混合教学模式。在该模式下,学生普遍暴露出浅层学习的问题。为了应对这一挑战,该文设计了多种知识可视化教学模式,创新性采用“积绩差”指标(GPA与课程成绩排名差值)评估教学效果。以简单混合教学模式为参照,教学评价结果显示:接受高阶混合式教学模式的学生期末考试积绩差均值为2.5,而接受翻转课堂教学模式的学生期末考试积绩差均值达10.9。在翻转课堂模式下,学生的知识迁移能力显著提升,可归因于学生可视化学习参与度的提高。学生可视化学习参与度随激励机制强度的提升呈阶梯增长趋势,可视化学习参与度每提升1次/人,积绩差增加约0.94。积绩差因双源数据,可有效剥离学生选课因素的干扰,因此可作为教学评价的平行对比量化指标。
- 刘长友王永欣卢艳丽谷智
- 关键词：知识可视化混合式教学教学评价指标
- N2H4·H2O水热体系ZnO微晶的结晶特性
- 2011年
- 研究了低浓度(0.01～0.20mol/L)N2H4.H2O条件下ZnO微晶的低温水热结晶特性。N2H4.H2O弱碱性和N2H5+吸附配位性影响ZnO微晶的形核和各晶面的生长速率。随着N2H4.H2O浓度的提高,ZnO微晶分别呈板条状、六角片状和六角棒束状。碱性分散剂和超声的分散作用影响主要在成核阶段;受分散剂弱碱性的影响,0.20mol/L N2H4.H2O显现出强的还原性,N2气泡模板生长机制使所制ZnO微晶呈六角管状晶须束。
- 刘长友谷智王涛查钢强介万奇
- 关键词：氧化锌水热合成结晶习性水合肼
- 碘化汞(α-HgI_2)晶体的形貌预测及制备被引量：1
- 2016年
- 为了获得应用于核辐射探测器的碘化汞(α-HgI_2)单晶,采用布拉维法则理论,通过Material Studio(MS)软件预测理想晶体形貌,建立了以二甲基亚砜为溶剂,控制溶液初始温度为25℃,每4h升温1℃的近平衡态液相生长工艺.研究结果表明:{001}是最重要生长晶面,理想晶体的最优/大面应为(001);经过4d的生长,获得具有规则自然晶面,与模拟形貌结果比较接近的α-HgI_2晶体,同时X射线衍射检测表明晶体最大晶面为(001).通过理论模拟和实验结果证明在近平衡生长环境下结构因素控制α-HgI_2生长.
- 李俊英许岗谷智张延京冯亚西
- 关键词：晶体结构溶液法
- 高阻值CdZnTe晶体的退火改性被引量：1
- 2003年
- 采用Cd1-yZny合金作退火源,对垂直布里奇曼法生长获得的Cd0.9Zn0.1Te晶片进行了退火处理。实验结果表明,退火后,晶片中Zn的径向成分偏离从0.15at%降低到0.05at%,Al、Na、Mg、Cu等杂质的含量得到一定程度的降低,代表结晶质量的半峰宽从182″下降到53″,而红外透过率从56.6%提高到62.1%,电阻率则从7.25×108Ωcm提高到2.5×1010Ωcm。可见,在合适的条件下对高阻值CdZnTe晶体进行退火处理可以提高晶体的性能。
- 李国强谷智介万奇
- 关键词：CDZNTE晶体退火半导体材料X射线探测器Γ射线探测器
- HgI_2晶体最低生长温度的确定被引量：2
- 2012年
- 为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ES D约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin。结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致。该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据。
- 许岗谷智坚增运惠增哲刘翠霞张改
- 关键词：物理气相沉积
- 高阻值Cd0.9Zn0.1Te晶体的退火处理
- 采用CdZn作退火源,对Bridgman法生长获得的CdZnTe晶片进行了退火处理。测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提高,红外透过率和电阻率都十分接近本征CdZnTe的值。从缺陷和杂质的角度,本文...
- 李国强介万奇谷智
- 关键词：退火红外透过率电阻率
- 文献传递
