罗谦
- 作品数：103 被引量：23H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种具有表面耐压结构的n沟道LDMOS器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有表面耐压结构的n沟道LDMOS器件，属于半导体技术领域。本发明针对n沟道LDMOS器件提出了一种表面超结结构，通过在器件漂移区表面制备梳指状的p型半导体条块，并将该p型半导体条块与栅极进行电学连接，可在...
- 罗谦文厚东姜玄青范镇
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件，特别涉及氮化镓基高电子迁移率晶体管。它是由衬底7上依次形成的成核层6、高电阻半导体层5和能带比高电阻半导体层5宽的势垒层4，以及势垒层4上的源极1、栅极2和漏极3，其中源极...
- 周伟靳翀杜江锋罗谦夏建新于奇杨谟华
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- 一种具有槽形结构的应变NLDMOS器件
- 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有槽形结构的N型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(NLDMOS)。本发明采用了压应变氮化硅膜作为N型LDMOS的应力源，并在源区与沟道衬底重掺杂区之间和漂移区各设一个槽形结构，使得...
- 罗谦檀长桂孟思远王向展于奇
- 文献传递
- 一种电流自偏置的串联CMOS带隙基准源
- 本发明属于属于模拟集成电路技术领域，具体为一种电流自偏置的串联CMOS带隙基准源。本发明基于对亚阈值MOS管的电压电流特性的应用，提出的串联CMOS管形式的基准电压源，并利用自偏置电流降低了因为偏置电流随温度变化而变化导...
- 罗谦陈锦伟吴克军
- 一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
- 杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
- 文献传递
- 一种小面积低功耗多位模拟电压量化器电路
- 本发明属于模拟集成电路设计领域，具体为一种小面积低功耗多位模拟电压量化器电路。本发明利用极性判断电路对输入差分信号进行极性选择，判断极性为负即翻转之后的多级量化电路的输入差分信号，保持多级量化电路的输入差分信号始终为正，...
- 吴克军 何禹 钟明灿于臻罗谦李靖宁宁张中
- GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨
- 2006年
- 基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaNHEMT电流崩塌的表面态变化。
- 靳翀卢盛辉杜江锋罗谦周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌串联电阻表面态
- 一种应用于微陀螺闭环驱动的差分型VGA
- 本发明涉及模拟集成电路领域，具体为一种应用于微陀螺闭环驱动的差分型VGA。本发明设计为增益变化与控制电压呈现一般线性的关系，通过设计可以完成信号随控制电压线性的衰减或放大，对比dB线性的关系，更适合对微陀螺正弦闭环驱动下...
- 吴克军刘宇晨胡矞涵于臻李靖张中宁宁罗谦
- 界面氧化层与GaN肖特基二极管电特性相关性研究
- 本文对不同浓度的n-GaN样品表面氧化层去除前后的肖特基接触的电学特性做了对比研究,通过对I-V,C-V特性的测量分析,量化了界面氧化层的存在对肖特基接触的电学性质的影响。实验发现氧化层的去除使肖特基接触的势垒高度降低0...
- 于志伟周伟罗谦杜江峰靳翀夏建新
- 关键词：势垒高度二极管肖特基接触电学特性
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- 脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
- 2005年
- 基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点。大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0(0.89+γT/16)的规律变化。分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间,并被表面态捕获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道电流减小,从而导致电流崩塌效应。该结论可望用于GaN HEMT器件在脉冲条件下电流崩塌效应进一步的理论探讨和实验研究。
- 龙飞杜江锋罗谦靳翀周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌效应GANHEMT表面态脉冲测试
