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王戎兴
作品数:
6
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
余伟国
中国科学院上海技术物理研究所
金深华
中国科学院上海技术物理研究所
于有勤
中国科学院上海技术物理研究所
顾蔚
中国科学院上海技术物理研究所
陆庆
中国科学院上海技术物理研究所
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1989年全...
年份
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2003
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2002
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1996
1篇
1989
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碲镉汞表面纯化膜界面电学特性研究
被引量:2
1996年
利用MIS结构。在国内首次研究了新型热蒸发CdTe/ZnS复合钝化膜与碲镉汞之间的界面电学特性。发现CdTe/ZnS双层膜在适当工艺条件下。固定电荷密度为-4X1010cm-2,慢态密度为5.1X1010cm-2,快态密度为2.7X1011cm-2eV-1。以上参数优于目前光伏器件采用的单层ZnS钝化膜,说明CdTe/ZnS复合膜是光伏器件的优良钝化膜。同时也研究了其它两种钝化膜,单层ZnS膜和阳极氧化膜/CdTe/ZnS三层膜,发现单层ZnS膜时间稳定性不好,而三层膜界面呈高密度固定正电荷,均不是理想的钝化膜。并组建了一套MISCV/GV测量系统,编制相应的测试、处理软件。
张新昌
王戎兴
关键词:
HGCDTE
钝化膜
红外材料
光纤活动连接器用陶瓷插针
吴一彦
余伟国
王戎兴
于有勤
金深华
骆丽萍
李伶俐
戴军
陆庆
徐峰
程东明
孙玉珍
康有胜
毛秀丽
张依群
该产品广泛应用于邮电通信、有线电视和互联网络等领域,是光纤活动连接器的关键部件。产品的行位精度要达到0.1微米,允许插拔500次以上,对精密加工工艺、检测系数极为严格。该产品采用了创新的关键加工工艺(内径、同轴加工,(内...
关键词:
关键词:
光纤
氧化锆陶瓷插针深内孔道清洗方法
本发明公开了一种能提高氧化锆陶瓷插针产品成品率的深内孔道清洗方法。该清洗方法的特征是:使超声仪器发出的超声波的传播方向与深内孔道方向一致;所用的超声波为脉冲超声波,增大了单位面积的超声功率。该清洗方法顺利解决了氧化锆陶瓷...
余伟国
王戎兴
于有勤
顾蔚
陆庆
金深华
高云柱
朱莉萍
文献传递
高密度氧化锆陶瓷插针
王建宇
余伟国
王戎兴
郑柏林
顾蔚
为实现光通信信息容量进一步提高,空间体积更小的高密度氧化锆陶瓷插针正是实现这一目标的新型无源器件。它是通过缩小原陶瓷插针的外径和长度,实现单位空间里连接光纤密度的增长(4倍),扩大光传播容量,推动了光通信领域的技术进步。
关键词:
关键词:
氧化锆
碲镉汞红外焦平面器件的铟柱生长技术的研究
王戎兴
关键词:
晶体生长
红外光电材料
铟
碲镉汞
焦平面器件
氧化锆陶瓷插针深内孔道清洗方法
本发明公开了一种能提高氧化锆陶瓷插针产品成品率的深内孔道清洗方法。该清洗方法的特征是:使超声仪器发出的超声波的传播方向与深内孔道方向一致;所用的超声波为脉冲超声波,增大了单位面积的超声功率。该清洗方法顺利解决了氧化锆陶瓷...
余伟国
王戎兴
于有勤
顾蔚
陆庆
金深华
高云柱
朱莉萍
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