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易春艳

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇图形化
  • 7篇晶体管
  • 7篇刻蚀
  • 4篇鱼鳍
  • 3篇掩膜
  • 3篇光刻
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇电学性能
  • 2篇淀积
  • 2篇形貌
  • 2篇旋涂
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇阻挡层
  • 2篇鳍线
  • 2篇结构线
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅薄膜

机构

  • 14篇上海集成电路...

作者

  • 14篇易春艳
  • 10篇李铭
  • 4篇曾绍海
  • 1篇左青云
  • 1篇胡正军
  • 1篇黄仁东
  • 1篇朱建军

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双重图形化方法
本发明公开了一种双重图形化方法，包括在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层；形成并图形化第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图形结构；形成并图形化第二光刻胶层，以形成第二光刻胶图形结构；在第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构之间形...
易春艳
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一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法
本发明提供一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法，其包括在第一绝缘介质层中，形成第一金属互连线；在第一金属互连线表面，选择性生长一层金属阻挡层，刻蚀第一金属互连线间的介质，形成第一金属互连线间的间隔槽；淀积第二绝缘...
易春艳
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双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法
本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法，采用部分刻蚀法，即第二非晶碳层刻蚀厚度大约在二分之一到四分之三左右，之后淀积二氧化硅薄膜并刻蚀形成二氧化硅侧壁隔离硬掩模图形，然后利用干法刻蚀去除核心牺牲层图形顶部的...
易春艳李铭
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一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法
本发明提供一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有第一图形；接着在硬掩膜层上涂布光刻平坦化层，并对硬掩膜层刻蚀以形成第二图形；再接着去除光刻平坦化层，并在硬掩膜层的侧壁形...
曾绍海李铭易春艳姚树歆
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双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法
本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法，采用部分刻蚀法，即第二非晶碳层刻蚀厚度大约在二分之一到四分之三左右，之后淀积二氧化硅薄膜并刻蚀形成二氧化硅侧壁隔离硬掩模图形，然后利用干法刻蚀去除核心牺牲层图形顶部的...
易春艳李铭
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双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法
本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法，先通过氮化硅硬掩模线条形成鱼鳍结构，然后进行鱼鳍线顶端切断的光刻和刻蚀工艺，此时需要切断的深度比较大，使得刻蚀有足够的时间和空间去调整刻蚀菜单以平衡各个层次的刻...
易春艳李铭
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去除硅片背面氮化硅的方法
本发明提供了一种去除硅片背面氮化硅的方法，包括步骤：提供硅片，硅片包括衬底和设置于衬底顶面的硅波导，且硅片的正面和背面通过LPCVD分别淀积有第一氮化硅层和第二氮化硅层；在第一氮化硅层的顶面形成保护层；对第二氮化硅层进行...
胡正军黄仁东易春艳
一种双重图形化方法
本发明公开了一种双重图形化方法，包括在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层；形成并图形化第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图形结构；形成并图形化第二光刻胶层，以形成第二光刻胶图形结构；在第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构之间形...
易春艳
双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法
本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法，先通过氮化硅硬掩模线条形成鱼鳍结构，然后进行鱼鳍线顶端切断的光刻和刻蚀工艺，此时需要切断的深度比较大，使得刻蚀有足够的时间和空间去调整刻蚀菜单以平衡各个层次的刻...
易春艳李铭
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一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法
本发明公开了一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法，通过在对PMOS源漏凹槽内采用选择性外延生长应变硅锗合金应力层前，先在平面的半导体基底上外延生长一层硅锗合金层和单晶硅层，然后，再以此硅锗合金层作为基底，在其上采...
曾绍海李铭易春艳
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