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张宇

作品数：117 被引量：74H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 12篇学位论文

领域

  • 45篇电子电信
  • 16篇理学
  • 9篇机械工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇医药卫生
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇核科学技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 57篇激光
  • 57篇激光器
  • 35篇半导体
  • 33篇红外
  • 27篇中红外
  • 26篇半导体激光
  • 26篇半导体激光器
  • 23篇锑化物
  • 20篇波导
  • 13篇波长
  • 12篇量子阱激光器
  • 11篇盖层
  • 10篇GASB
  • 7篇光电
  • 6篇调谐
  • 6篇双波长
  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 6篇晶格
  • 6篇光栅

机构

  • 99篇中国科学院
  • 24篇中国科学技术...
  • 18篇中国科学院大...
  • 4篇北京量子信息...
  • 3篇南洋理工大学
  • 3篇中国科学院长...
  • 3篇光电信息控制...
  • 2篇长春理工大学
  • 2篇北京航空航天...
  • 2篇海南师范大学
  • 2篇山西大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇清华大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇皖南医学院

作者

  • 117篇张宇
  • 83篇牛智川
  • 69篇徐应强
  • 27篇倪海桥
  • 18篇王国伟
  • 14篇任正伟
  • 13篇邢军亮
  • 13篇廖永平
  • 8篇王娟
  • 6篇宋国峰
  • 6篇尚向军
  • 6篇向伟
  • 6篇魏思航
  • 4篇汪卫敏
  • 3篇郭宝山
  • 3篇佟存柱
  • 3篇李森森
  • 2篇廖光煊
  • 2篇徐建星
  • 2篇吴斌

传媒

  • 8篇红外与激光工...
  • 6篇中国激光
  • 6篇红外与毫米波...
  • 3篇第十一届全国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇科技纵览
  • 1篇中华麻醉学杂...
  • 1篇化学学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇组合机床与自...
  • 1篇中国基础科学
  • 1篇安徽预防医学...
  • 1篇光电技术应用
  • 1篇科教文汇
  • 1篇科技成果管理...
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第10届全国...

年份

  • 6篇2025
  • 7篇2024
  • 2篇2023
  • 10篇2022
  • 9篇2021
  • 15篇2020
  • 9篇2019
  • 11篇2018
  • 11篇2017
  • 2篇2016
  • 11篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
共 117 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层...
邢军亮张宇王国伟王娟王丽娟任正伟徐应强牛智川
文献传递
相对论电子束诊断等离子体密度梯度的数值研究
惯性约束聚变利用激光等高功率驱动源压缩核燃料靶丸使其内爆进而发生核反应放出原子能。在驱动过程中，靶丸内各种密度扰动、陡峭密度梯度如烧蚀面、激波前沿、流体力学不稳定性的产生会对压缩产生巨大的影响，甚至直接关系到靶丸的点火。...
张宇
关键词：惯性约束聚变等离子体相对论
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法
本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层...
张立春王国伟张宇徐应强倪海桥牛智川
文献传递
锑化物半导体低维材料与红外光电器件
牛智川徐应强王国伟张宇倪海桥尚向军夏建白
锑化物低维结构半导体材料与器件研究进展
锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非常适合于制造红外光电器件和高速电子器...
牛智川徐应强王国伟张宇任正伟王娟邢军亮蒋洞微向伟
HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsS...
张宇王国伟汤宝任正伟徐应强牛智川陈良惠
文献传递
8.56W锑化镓基1.96μm激光源
设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21.9％,最大功率处能...
廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川
关键词：激光二极管激光器阵列大功率中红外
中红外GaSb基半导体碟片激光器
本公开提供一种中红外GaSb基半导体碟片激光器，包括：铜热沉，该铜热沉上有一凹槽；TEC散热模块，位于所述铜热沉下，用于加电流之后控制热沉的温度；芯片模块，对应所述凹槽设置于所述铜热沉上部，包括一外延芯片，以及分别键合于...
尚金铭牛智川张宇杨成奥张一谢圣文
文献传递
1.2W光纤输出2μm锑化物半导体激光器
2022年
锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对抗、生物显微成像、医学照明、激光泵浦、塑料焊接等提供优质光源。
李森森张宇张宇徐应强牛智川徐应强
关键词：半导体激光器新型激光器光纤输出激光泵浦塑料焊接
具有超构表面耦合结构的太赫兹光电导天线
本发明提供了一种具有超构表面耦合结构的太赫兹光电导天线，可应用于太赫兹发射天线技术领域，包括：光电导天线，光电导天线通过光泵浦激发产生光电导效应，从而辐射太赫兹波；以及超构表面单元，集成在光电导天线的辐射区域，用于调控太...
张宇牛智川倪海桥徐应强佟海保
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