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刘茵

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:清华大学更多>>
相关领域:医药卫生电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 2篇电阻抗
  • 2篇电阻抗成像
  • 1篇医学诊断技术
  • 1篇图像
  • 1篇图像重建
  • 1篇图像重建算法
  • 1篇耐用性
  • 1篇二极管
  • 1篇MOSFET

机构

  • 3篇清华大学
  • 1篇飞兆半导体公...

作者

  • 3篇刘茵
  • 1篇黄平
  • 1篇宫莲

传媒

  • 1篇中国生物医学...
  • 1篇电气技术

年份

  • 1篇2006
  • 1篇1991
  • 1篇1988
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
传统MOSFET和超结MOSFET的体二级管反向恢复特性评估被引量:1
2006年
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及。然而,普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。尽管后来它的体二极管特性有了一定改善,但还是不能像传统MOSFET的体二极管那样耐用。我们示出即使施加缓和上升的di/dt,普通SJ器件的体二极管也还会失效。飞兆(Fairchild)公司利用二维数字仿真在电路和器件混合建模的条件来分析反向恢复瞬态期间在器件的内部发生了什么。这帮助我们理解失效背后的原因,并且设计出了耐用性更强的SuperFETTMSJ器件。反向恢复测量表明,普通SJ器件的体二极管在di/dt仅为100A/μs的时候就会失效,而SuperFETTM器件几乎是不会破坏的,它在di/dt为1000A/μs时仍能工作。飞兆(Fairchild)公司还设计出了带有快速恢复体二极管的、耐用的SuperFETTM器件,具有较低的Trr和Qrr。
P.舍诺依S.舍科哈瓦特B.勃劳克威刘茵
关键词:耐用性
一种有效的电阻抗成像的图像重建算法被引量:2
1991年
电阻抗成像技术正取得进展,并开始用于人体诊断。电阻抗成像的优点是对人体无害及其硬件远比X射线层析成像(X-CT)低廉,是一项需引起重视的科研课题。 本文提供了一种基于低频电流场灵敏度矩阵研究的迭代方法作为图像重建算法,并取得了令人满意的计算机模拟结果。
宫莲黄平刘茵
关键词:电阻抗成像图像重建算法
电阻抗成像的一种算法及模拟
刘茵
关键词:电阻抗成像医学诊断技术
共1页<1>
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